[發明專利]一種堆疊式封裝方法

在審

• 申請號: 202010121123.6
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號: CN111243967A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 李駿
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

本申請提供了一種堆疊式封裝方法，包括：提供第一封裝體，第一封裝體包括第一芯片以及與第一芯片電連接的第一電互連結構，第一芯片包括相背設置的功能面和非功能面，第一電互連結構包括與非功能面處于同側的導電區，且非功能面和導電區從第一封裝體中露出；在第一芯片的非功能面上形成焊料層；將散熱片固定設置于焊料層上，散熱片覆蓋第一封裝體與非功能面處于同側的表面，且散熱片對應導電區的位置設置有開口；在散熱片遠離第一封裝體一側設置第二封裝體，第二封裝體中的第二電互連結構透過開口與導電區電連接。通過上述方式，本申請能夠在堆疊式封裝器件中引入散熱片，以提高堆疊式封裝器件的散熱性能。

技術領域

本申請涉及半導體領域，特別是涉及一種堆疊式封裝方法。

背景技術

隨著集成電路技術的不斷發展，電子產品越來越向小型化、智能化、高性能和可靠性方向發展。其中，POP(堆疊)封裝形式模糊了一級封裝與二級封裝之間的界線，在提高邏輯運算功能和存儲空間的同時，也為終端用戶提供了自由選擇器件組合的可能，生產成本也得以更有效的控制。

但是目前POP封裝形式中的芯片周圍被塑封料覆蓋，散熱性能較差。

發明內容

本申請主要解決的技術問題是提供一種堆疊式封裝方法，能夠在堆疊式封裝器件中引入散熱片，以提高堆疊式封裝器件的散熱性能。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種堆疊式封裝方法，所述封裝方法包括：提供第一封裝體，所述第一封裝體包括第一芯片以及與所述第一芯片電連接的第一電互連結構，所述第一芯片包括相背設置的功能面和非功能面，所述第一電互連結構包括與所述非功能面處于同側的導電區，且所述非功能面和所述導電區從所述第一封裝體中露出；在所述第一芯片的所述非功能面上形成焊料層；將散熱片固定設置于所述焊料層上，所述散熱片覆蓋所述第一封裝體與所述非功能面處于同側的表面，且所述散熱片對應所述導電區的位置設置有開口；在所述散熱片遠離所述第一封裝體一側設置第二封裝體，所述第二封裝體中的第二電互連結構透過所述開口與所述導電區電連接。

其中，所述在所述散熱片遠離所述第一封裝體一側設置第二封裝體，所述第二封裝體中的第二電互連結構透過所述開口與所述導電區電連接，包括：在所述導電區位置處填涂焊料，所述焊料與周圍的所述散熱片絕緣；將所述第二封裝體設置于所述散熱片上，且所述第二電互連結構與所述焊料接觸；回流處理，以使得所述導電區與所述第二電互連結構固定，且回流后的所述焊料與周圍的所述散熱片絕緣。

其中，所述散熱片的材質為金屬，所述開口的尺寸大于對應位置處的所述導電區以及回流后的所述焊料的尺寸。

其中，所述在所述散熱片遠離所述第一封裝體一側設置第二封裝體之前，還包括：在所述開口的內壁形成絕緣層。

其中，所述提供第一封裝體包括：提供具有所述第一電互連結構的第一基板，所述第一基板包括相背設置的承載面和非承載面，所述承載面具有凹槽，所述導電區位于與所述凹槽相鄰的所述承載面上；將所述第一芯片倒裝固定于所述凹槽內，所述功能面朝向所述凹槽的底部。

其中，所述導電區為平面，所述提供具有所述第一電互連結構的第一基板之后，還包括：蝕刻所述導電區，或者，蝕刻所述導電區以及所述導電區周圍的所述第一基板，以使得蝕刻后的所述導電區具有凹陷。

其中，所述導電區為平面，所述提供具有所述第一電互連結構的第一基板之后，還包括：在所述導電區位置處電鍍形成具有凹陷的金屬柱。

其中，所述將所述第一芯片倒裝固定于所述凹槽內之后，還包括：在所述功能面與所述底部之間形成圍壩，所述功能面上的所有焊盤位于所述圍壩圍設的區域內。

其中，所述圍壩為底填膠，所述底填膠覆蓋所述焊盤。