[發明專利]一種堆疊式封裝方法

在審

• 申請號: 202010121123.6
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號: CN111243967A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 李駿
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種堆疊式封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括：

提供第一封裝體，所述第一封裝體包括第一芯片以及與所述第一芯片電連接的第一電互連結構，所述第一芯片包括相背設置的功能面和非功能面，所述第一電互連結構包括與所述非功能面處于同側的導電區，且所述非功能面和所述導電區從所述第一封裝體中露出；

在所述第一芯片的所述非功能面上形成焊料層；

將散熱片固定設置于所述焊料層上，所述散熱片覆蓋所述第一封裝體與所述非功能面處于同側的表面，且所述散熱片對應所述導電區的位置設置有開口；

在所述散熱片遠離所述第一封裝體一側設置第二封裝體，所述第二封裝體中的第二電互連結構透過所述開口與所述導電區電連接。

2.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述在所述散熱片遠離所述第一封裝體一側設置第二封裝體，所述第二封裝體中的第二電互連結構透過所述開口與所述導電區電連接，包括：

在所述導電區位置處填涂焊料，所述焊料與周圍的所述散熱片絕緣；

將所述第二封裝體設置于所述散熱片上，且所述第二電互連結構與所述焊料接觸；

回流處理，以使得所述導電區與所述第二電互連結構固定，且回流后的所述焊料與周圍的所述散熱片絕緣。

3.根據權利要求1或2所述的封裝方法，其特征在于，

所述散熱片的材質為金屬，所述開口的尺寸大于對應位置處的所述導電區以及回流后的所述焊料的尺寸。

4.根據權利要求3所述的封裝方法，其特征在于，所述在所述散熱片遠離所述第一封裝體一側設置第二封裝體之前，還包括：

在所述開口的內壁形成絕緣層。

5.根據權利要求1或2所述的封裝方法，其特征在于，所述提供第一封裝體包括：

提供具有所述第一電互連結構的第一基板，所述第一基板包括相背設置的承載面和非承載面，所述承載面具有凹槽，所述導電區位于與所述凹槽相鄰的所述承載面上；

將所述第一芯片倒裝固定于所述凹槽內，所述功能面朝向所述凹槽的底部。

6.根據權利要求5所述的封裝方法，其特征在于，所述導電區為平面，所述提供具有所述第一電互連結構的第一基板之后，還包括：

蝕刻所述導電區，或者，蝕刻所述導電區以及所述導電區周圍的所述第一基板，以使得蝕刻后的所述導電區具有凹陷。

7.根據權利要求5所述的封裝方法，其特征在于，所述導電區為平面，所述提供具有所述第一電互連結構的第一基板之后，還包括：

在所述導電區位置處電鍍形成具有凹陷的金屬柱。

8.根據權利要求5所述的封裝方法，其特征在于，所述將所述第一芯片倒裝固定于所述凹槽內之后，還包括：

在所述功能面與所述底部之間形成圍壩，所述功能面上的所有焊盤位于所述圍壩圍設的區域內。

9.根據權利要求8所述的封裝方法，其特征在于，

所述圍壩為底填膠，所述底填膠覆蓋所述焊盤。

10.根據權利要求5所述的封裝方法，其特征在于，所述在所述散熱片遠離所述第一封裝體一側設置第二封裝體之后，還包括：

在所述非承載面上形成焊球，所述焊球與所述第一電互連結構從所述非承載面露出的部分電連接。