[發(fā)明專利]晶圓自動對位裝置以及刻蝕機在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010121089.2 | 申請日: | 2020-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN111312644A | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張雷;沈克;張冬欣;劉偉 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門通富微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/687 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎堅怡 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市中國(福建)自由貿(mào)易試驗區(qū)*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 自動 對位 裝置 以及 刻蝕 | ||
1.一種晶圓自動對位裝置,其特征在于,包括:
承載臺;
升降機構(gòu),用于沿重力方向承托晶圓,并將所述晶圓放置于所述承載臺上;
導向機構(gòu),設(shè)置在所述承載臺上,用于在所述晶圓靠近所述承載臺的過程中對所述晶圓進行導向,以使所述晶圓最終落在所述承載臺上的預定區(qū)域內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓自動對位裝置,其特征在于,所述導向機構(gòu)包括至少兩個導向塊,所述至少兩個導向塊在所述承載臺上圍繞所述預定區(qū)域間隔設(shè)置,當所述晶圓在所述至少兩個導向塊之間靠近所述承載臺時,所述至少兩個導向塊鄰近所述晶圓設(shè)置的導向面對所述晶圓進行導向,以使所述晶圓最終落在所述承載臺上的所述預定區(qū)域內(nèi),其中,所述導向塊的所述導向面與所述承載臺的承載面之間的夾角為鈍角。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓自動對位裝置,其特征在于,所述承載臺包括承載環(huán),所述至少兩個導向塊間隔設(shè)置在所述承載環(huán)上,以使所述晶圓最終落在所述承載環(huán)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓自動對位裝置,其特征在于,所述晶圓自動對位裝置還包括:
驅(qū)動機構(gòu),與所述承載環(huán)連接,用于驅(qū)動所述承載環(huán)轉(zhuǎn)動;
夾緊機構(gòu),用于當所述承載環(huán)轉(zhuǎn)動時在離心力的作用下將所述晶圓固定在所述承載環(huán)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓自動對位裝置,其特征在于,
所述夾緊機構(gòu)包括至少兩個離心件,所述至少兩個離心件沿所述承載環(huán)的外周間隔設(shè)置,并分別與所述承載環(huán)鉸接,進而在離心力的作用下使得所述離心件轉(zhuǎn)動成壓持所述晶圓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓自動對位裝置,其特征在于,所述離心件包括擺桿和配重塊,其中,所述擺桿的中部區(qū)域與所述承載環(huán)鉸接,所述擺桿的第一端靠近所述晶圓設(shè)置,所述配重塊設(shè)置于所述擺桿與所述第一端相對的第二端上,進而在當所述承載環(huán)轉(zhuǎn)動時所述擺桿的第一端翻轉(zhuǎn)成壓持所述晶圓的外周緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓自動對位裝置,其特征在于,所述升降機構(gòu)包括:
驅(qū)動件;
承載盤,與所述驅(qū)動件的輸出軸連接,在所述驅(qū)動件的驅(qū)動下,所述承載盤穿過所述承載環(huán)而沿重力方向承托所述晶圓,而后承托在所述承載盤上的所述晶圓隨著所述承載盤靠近所述承載環(huán),直至最終落入所述預定區(qū)域內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓自動對位裝置,其特征在于,所述晶圓自動對位裝置還包括:
檢測機構(gòu),用于檢測所述晶圓是否平放在所述承載臺上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓自動對位裝置,其特征在于,所述檢測機構(gòu)包括兩個距離傳感器,其中,所述兩個距離傳感器相對平放在所述承載臺上的所述晶圓的距離相同。
10.一種刻蝕機,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至9任一項所述的晶圓自動對位裝置。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廈門通富微電子有限公司,未經(jīng)廈門通富微電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010121089.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





