[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202010120675.5 | 申請日: | 2020-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN111192912A | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 馬坤;賈聰聰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請實施例公開了一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,該顯示基板包括:基底、設置在所述基底上的驅動結構層,設置在所述驅動結構層上的發光結構層,所述發光結構層包括第一發光結構和第二發光結構,從靠近所述驅動結構層向遠離所述驅動結構層的方向上,所述第一發光結構包括層疊的第一透明陽極、第一發光層、第一陰極,所述第二發光結構包括層疊的第二反射陽極、第二發光層和第二陰極。本實施例提供的顯示基板,通過在基底的同側設置不同出光方向的發光結構,實現雙面顯示,且厚度與單面顯示厚度差別不大,小于將兩個單面顯示的顯示面板貼合得到的雙面顯示面板。
技術領域
本申請實施例涉及顯示技術,尤指一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有自發光、驅動電壓低、發光效率高等優點,是近年來發展迅猛的顯示照光技術,且由于其具有高響應、高對比度、可柔性化等優點,被視為有廣泛的應用前景。雙面OLED顯示器除了具備普通OLED顯示器的各種特性外,還可以延伸畫面空間,快速切換與處理多個顯示畫面,不僅節約了顯示器的制作成本,更可以節省裝置的空間。
目前,雙面顯示的顯示面板是將兩個單面顯示的顯示面板貼合在一起。此種方法得到的顯示面板的厚度較大,不利于顯示面板的輕薄化發展。
發明內容
本申請實施例提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,實現雙面顯示,降低雙面顯示面板厚度。
一方面,本申請實施例提供了一種顯示基板,包括:基底、設置在所述基底上的驅動結構層,設置在所述驅動結構層上的發光結構層,所述發光結構層包括第一發光結構和第二發光結構,從靠近所述驅動結構層向遠離所述驅動結構層的方向上,所述第一發光結構包括層疊的第一透明陽極、第一發光層、第一陰極,所述第二發光結構包括層疊的第二反射陽極、第二發光層和第二陰極。
在一示例性實施例中,所述第二陰極的厚度小于所述第一陰極的厚度。
在一示例性實施例中,所述第二發光結構還包括設置在所述第二反射陽極靠近驅動結構層一側的第二透明陽極,且所述第一透明陽極和所述第二透明陽極同層設置。
在一示例性實施例中,所述第一發光層和所述第二發光層同層設置,所述第一陰極和所述第二陰極同層設置。
在一示例性實施例中,所述第一陰極的厚度為80nm到150nm,所述第二陰極的厚度為10nm到20nm。
在一示例性實施例中,所述第二反射陽極包括疊設的第一反射層、第二反射層和第三反射層,所述第一反射層和所述第三反射層使用氧化銦錫制成,所述第一反射層的厚度為60nm到80nm,所述第三反射層的厚度為60nm到80nm,所述第二反射層使用銀制成,所述第二反射層的厚度為80nm到120nm。
在一示例性實施例中,所述顯示基板包括多個發光單元構成的陣列,每個發光單元包括所述第一發光結構和所述第二發光結構。
又一方面,本申請實施例提供一種顯示裝置,包括上述顯示基板。
又一方面,本申請實施例提供一種顯示基板的制備方法,包括:
形成基底,在所述基底上形成驅動結構層;
在所述驅動結構層上形成發光結構層,所述發光結構層包括第一發光結構和第二發光結構,從靠近所述驅動結構層向遠離所述驅動結構層的方向上,所述第一發光結構包括層疊的第一透明陽極、第一發光層、第一陰極,所述第二發光結構包括層疊的第二反射陽極、第二發光層和第二陰極。
在一示例性實施例中,所述第二陰極的厚度小于所述第一陰極的厚度。
在一示例性實施例中,所述在所述驅動結構層上形成發光結構層包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





