[發明專利]嵌入T線圈內的峰化電感器

在審

• 申請號: 202010120404.X
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號: CN111755415A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 文卡塔·N·R·法努卡魯;U·K·舒克拉;S·托加爾
• 申請（專利權）人: 格芯公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種結構，包括：

后端工藝互連結構，包括第一金屬化層級、第二金屬化層級，以及設置于該第一金屬化層級與該第二金屬化層級之間的第三金屬化層級；

T線圈，包括具有設置于該第一金屬化層級中的第一線圈的第一電感器以及具有設置于該第二金屬化層級中的第二線圈的第二電感器；以及

峰化電感器，具有設置于該第三金屬化層級中的第一線圈，

其中，該第一電感器的該第一線圈、該第二電感器的該第二線圈，以及該峰化電感器的該第一線圈以疊置布置堆疊于該后端工藝互連結構中。

2.如權利要求1所述的結構，其中，該后端工藝互連結構包括自該第一電感器的該第一線圈延伸至該第二電感器的該第二線圈的直立互連。

3.如權利要求2所述的結構，其中，該直立互連穿過該第三金屬化層級，而不與該峰化電感器的該第一線圈連接。

4.如權利要求2所述的結構，其中，該T線圈與該峰化電感器包括由該后端工藝互連結構的介電材料填充的中心區域，且該直立互連延伸穿過該中心區域。

5.如權利要求2所述的結構，其中，該直立互連包括位于該第一金屬化層級與該第三金屬化層級之間的第一過孔層級中的第一過孔，且該直立互連包括位于該第二金屬化層級與該第三金屬化層級之間的第二過孔層級中的第二過孔。

6.如權利要求1所述的結構，其中，該第一金屬化層級設置于該第三金屬化層級上方，該第二金屬化層級設置于該第三金屬化層級下方，該后端工藝互連結構包括設置于該第二金屬化層級下方的第四金屬化層級，且該第二電感器包括設于該第四金屬化層級中的第三線圈，該第三線圈與該第二線圈并聯耦接。

7.如權利要求1所述的結構，其中，該第一金屬化層級設置于該第三金屬化層級上方，該第二金屬化層級設置于該第三金屬化層級下方，該后端工藝互連結構包括設置于該第一金屬化層級與該第二金屬化層級之間的第四金屬化層級，且該峰化電感器包括設于該第三金屬化層級中的第二線圈，該第二線圈與該峰化電感器的該第一線圈串聯耦接。

8.如權利要求1所述的結構，其中，該第一電感器、該第二電感器，以及該峰化電感器連接于共同節點。

9.如權利要求8所述的結構，還包括：

設計組件，通過該峰化電感器與該共同節點耦接；

輸入/輸出墊，通過該第一電感器與該共同節點耦接；以及

終端電阻器，通過該第二電感器與該共同節點耦接。

10.如權利要求9所述的結構，還包括：

靜電放電裝置，與該共同節點耦接。

11.如權利要求1所述的結構，其中，該第一電感器的該第一線圈具有圍繞第一區域的第一周邊，該第二電感器的該第二線圈具有圍繞第二區域的第二周邊，該峰化電感器的該第一線圈具有圍繞第三區域的第三周邊，該第三區域小于該第一區域，且該第三區域小于該第二區域。

12.如權利要求1所述的結構，其中，該第一電感器的該第一線圈具有圍繞第一區域的第一周邊，該第二電感器的該第二線圈具有圍繞第二區域的第二周邊，該峰化電感器的該第一線圈具有圍繞第三區域的第三周邊，該峰化電感器的該第一線圈的該第三周邊被該第一電感器的該第一線圈的該第一周邊限制。

13.如權利要求11所述的結構，其中，該峰化電感器的該第一線圈的該第三周邊被該第二電感器的該第二線圈的該第二周邊限制。