[發明專利]一種LED燈帶用高透射單面板及其制備方法在審
| 申請號: | 202010119996.3 | 申請日: | 2020-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN111182735A | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 郭迎福 | 申請(專利權)人: | 東莞市天暉電子材料科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/06 | 分類號: | H05K3/06;H05K3/28 |
| 代理公司: | 深圳市千納專利代理有限公司 44218 | 代理人: | 劉曉敏 |
| 地址: | 523000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 led 燈帶用高 透射 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種LED燈帶用高透射單面板的制備方法,其特征在于:其包括下列步驟:
(1)貼干膜:提供干膜和銅箔,所述銅箔的背面貼合有保護膜,通過貼膜機將所述干膜貼合在所述銅箔的正面,形成有干膜保護的銅箔基板;
(2)曝光:將底片上的線路圖形與貼干膜的銅箔基板對位,通過曝光機進行影像轉移,被光照到區域的干膜發生聚合反應,未被光照到區域的干膜不發生聚合反應,利用光的作用將影像轉移到貼干膜的銅箔基板;
(3)顯影:將曝光后的銅箔基板,通過顯影液沖洗,將沒有發生聚合反應區域的干膜去除干凈,銅箔基板上露出沒有干膜保護的銅箔;
(4)蝕刻:將顯影后的銅箔基板,經蝕刻液的沖洗,將沒有干膜保護的銅箔蝕刻去除干凈,留下發生聚合反應干膜保護的銅箔,在銅箔基板上形成線路;
(5)剝膜:將蝕刻后的銅箔基板,經剝膜液的沖洗,將保護銅箔的發生聚合反應干膜去除干凈,銅箔基板上形成完整的銅層線路;
(6)絲印膠黏劑:通過絲網印刷設備,將膠黏劑絲印在銅層線路上,形成膠層;
(7)貼合絕緣膜:通過快壓機,將絕緣膜通過膠層貼合在銅層線路上,形成絕緣膜層;
(8)剝離保護膜:通過剝膜機剝離銅箔基板背面的保護膜,得到LED燈帶用高透射單面板。
2.根據權利要求1所述的LED燈帶用高透射單面板的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)貼干膜:
所述銅箔的厚度為12~50微米;
所述保護膜為PI膜、PET膜、PE膜、PS膜、PTFE膜或PC膜中的一種,所述保護膜的厚度為80~120微米。
3.根據權利要求1所述的LED燈帶用高透射單面板的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)貼干膜:
所述干膜包括PET膜層和光致抗蝕劑膜層;
所述干膜的厚度為30~50微米;
所述貼膜機的壓力控制在3.0~5.0kgf/cm2,壓合溫度控制在100~120℃,貼膜速度控制在1.5~2.5m/min。
4.根據權利要求1所述的LED燈帶用高透射單面板的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)曝光:
所述曝光機的曝光能量控制在35~75mj/cm2。
5.根據權利要求1所述的LED燈帶用高透射單面板的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)顯影:
所述顯影液為濃度為0.08~0.12mol/L的Na2CO3溶液;
所述步驟(3)顯影所用設備為顯影生產線;
所述顯影生產線的顯影液噴淋壓力控制在1.5~2.5kgf/cm2,水洗壓力控制在1.0~2.0kgf/cm2,溫度控制在35~45℃,速度控制在2.0~3.5m/min。
6.根據權利要求1所述的LED燈帶用高透射單面板的制備方法,其特征在于,所述步驟(4)蝕刻:
所述蝕刻液為酸性氯化銅蝕刻液,所述酸性氯化銅蝕刻液含有HCl和CuCl2,所述HCl的濃度為0.8~2.5mol/L,所述CuCl2的濃度為1.5~2.5mol/L;
所述步驟(4)蝕刻所用設備為蝕刻生產線;
所述蝕刻生產線的蝕刻液噴淋壓力控制在1~3 kgf/cm2,水洗壓力控制在1.0~2.0kgf/cm2,溫度控制在45~55℃,速度控制在2.0~3.5m/min。
7.根據權利要求1所述的LED燈帶用高透射單面板的制備方法,其特征在于,所述步驟(5)剝膜:
所述剝膜液為濃度0.8~1.3mol/L的NaOH溶液;
所述步驟(5)剝膜所用設備為剝膜生產線;
所述剝膜生產線的剝膜液噴淋壓力設置為1.5~2.5kgf/cm2,溫度控制在45~55℃,速度控制在2.0~3.5m/min,水洗壓力設置為1.0~2.0kgf/cm2。
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