[發明專利]晶片外驅動器結構

在審

• 申請號: 202010119712.0
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號: CN112670283A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 劉芳妏;呂增富
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L27/02
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 席勇;董云海

1.一種晶片外驅動器結構，其特征在于，包含：

多個上拉晶體管；

多個下拉晶體管；

多個第一類型的第一區域；

多個第二類型的第二區域，其中所述多個第一區域和所述多個第二區域交錯形成靜電保護電路；以及

多個電阻元件，其中所述多個電阻元件中的一個耦接所述多個上拉晶體管中的一個或所述多個下拉晶體管中的一個，所述多個電阻元件配置在所述多個第一區域和所述多個第二區域之間。

2.如權利要求1所述的晶片外驅動器結構，其特征在于，所述多個電阻元件由多晶硅或金屬構成。

3.如權利要求1所述的晶片外驅動器結構，其特征在于，所述多個電阻元件由多晶硅或金屬構成，所述多個電阻中每一個的電阻值是能根據多晶硅和金屬的長度比例而調整的。

4.如權利要求1所述的晶片外驅動器結構，其特征在于，還包含：

多個淺溝槽隔離結構，配置在所述多個第一區域和所述多個第二區域之間，其中所述多個電阻元件設置在所述多個淺溝槽隔離結構之上。

5.如權利要求4所述的晶片外驅動器結構，其特征在于，所述多個第一區域、所述多個第二區域和所述多個淺溝槽隔離結構設置在第一層，所述多個電阻元件設置在不同于所述第一層的第二層。

6.如權利要求4所述的晶片外驅動器結構，其特征在于，所述多個第一區域、所述多個第二區域、所述多個淺溝槽隔離結構和所述多個電阻元件為在第一方向上延伸而互相平行的條狀區域。

7.如權利要求6所述的晶片外驅動器結構，其特征在于，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述多個第一區域和所述多個第二區域以交錯方式設置。

8.如權利要求6所述的晶片外驅動器結構，其特征在于，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述多個第一區域和所述多個第二區域中的每一個被所述多個淺溝槽隔離結構夾在中間。

9.如權利要求6所述的晶片外驅動器結構，其特征在于，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述多個淺溝槽隔離結構中的每一個被所述多個第一區域中的一個和所述多個第二區域中的一個夾在中間。

10.如權利要求1所述的晶片外驅動器結構，其特征在于，耦接至所述多個上拉晶體管的所述多個電阻元件設置在用以接收第一電壓的所述多個第二區域與耦接至墊片的所述多個第一區域之間，耦接至所述多個下拉晶體管的所述多個電阻元件設置在用以接收第二電壓的所述多個第一區域與耦接至所述墊片的所述多個第二區域之間。