[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010119604.3
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號(hào): CN111816617A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丸山力宏
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/10
• 分類號(hào): H01L23/10;H01L23/13;H01L21/50
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張欣;金玉蘭

提供半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。能高精度地將分別形成于殼體和金屬基板的孔位置對準(zhǔn)。半導(dǎo)體裝置(10)的殼體(30)具備沿金屬基板(20)的側(cè)面包圍側(cè)面的側(cè)壁部(32a～32d)；以及覆蓋被側(cè)壁部(32a～32d)包圍的金屬基板(20)的正面上并與安裝孔(21a～21d)對應(yīng)地形成有貫通的環(huán)孔(35c、35d)的被覆部(33)。在俯視時(shí)隔著環(huán)孔(35c、35d)對置的側(cè)壁部(32a～32d)的內(nèi)側(cè)分別形成有突起部(36a、36b)。這樣，金屬基板被插入到被殼體(30)的側(cè)壁部(32a～32d)包圍的區(qū)域而被可靠地固定。此外，分別將這樣插入的金屬基板的安裝孔和殼體的環(huán)孔高精度地位置對準(zhǔn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置例如包括IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極型晶體管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、FWD(Free Wheeling Diode：續(xù)流二極管)、SBD(SchottkyBarrier Diode：肖特基勢壘二極管)等半導(dǎo)體元件。該半導(dǎo)體裝置將接合有IGBT和FWD的基板配置在金屬基板上，在該金屬基板上設(shè)置覆蓋IGBT等的殼體(例如參照專利文獻(xiàn)1)。

另外，在半導(dǎo)體裝置的殼體和金屬基板分別形成有貫穿的孔。如果在殼體安裝金屬基板，則這些孔對準(zhǔn)而作為將半導(dǎo)體裝置安裝于外部設(shè)備等時(shí)的緊固孔發(fā)揮功能。對于這樣構(gòu)成的緊固孔，伴隨著向殼體安裝金屬基板而產(chǎn)生的錯(cuò)位，需要即使殼體的孔和金屬基板的孔存在些許錯(cuò)位也確保有效孔徑。因此，為了應(yīng)對錯(cuò)位，形成于金屬基板的孔的直徑形成得較大。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2018-195717號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

然而，在金屬基板的外形尺寸、形成于金屬基板的孔的位置存在限制的情況下，形成于金屬基板的孔的直徑無法形成得較大。因此，如果將這樣的金屬基板設(shè)置于殼體，則可能無法充分確保安裝時(shí)的緊固孔的有效孔徑。

本發(fā)明是鑒于該情況而完成的，目的在于提供能夠?qū)⒎謩e形成于殼體和金屬基板的孔高精度地位置對準(zhǔn)的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

技術(shù)方案

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體裝置，具有：平板狀的金屬基板，其在俯視時(shí)呈矩形狀，在周邊形成有貫通的安裝孔；殼體，其具備側(cè)壁部和被覆部，上述側(cè)壁部沿著上述金屬基板的側(cè)面包圍上述側(cè)面，上述被覆部覆蓋被上述側(cè)壁部包圍的上述金屬基板的正面上，并與上述安裝孔對應(yīng)地形成有貫通的環(huán)孔，在俯視時(shí)隔著上述環(huán)孔對置的上述側(cè)壁部的內(nèi)側(cè)分別形成有突起部。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)，提供上述半導(dǎo)體裝置的制造方法。

發(fā)明效果

根據(jù)公開的技術(shù)，能夠?qū)⒎謩e形成于殼體和金屬基板的孔高精度地位置對準(zhǔn)，能夠確保安裝時(shí)的緊固孔的有效孔徑。

附圖說明

圖1是用于說明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。

圖2是用于說明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置所含的金屬基板的圖。

圖3是用于說明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置所含的殼體的圖(之一)。

圖4是用于說明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置所含的殼體的圖(之二)。

圖5是用于說明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置所含的半導(dǎo)體單元的圖。

圖6是用于說明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。