[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202010119604.3
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號: CN111816617A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 丸山力宏
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/10
• 分類號: H01L23/10;H01L23/13;H01L21/50
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張欣;金玉蘭

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

平板狀的金屬基板，其在俯視時呈矩形狀，在周邊形成有貫通的安裝孔；以及

殼體，其具備側壁部和被覆部，所述側壁部沿著所述金屬基板的側面包圍所述側面，所述被覆部覆蓋被所述側壁部包圍的所述金屬基板的正面上，并與所述安裝孔對應地形成有貫通的環孔，

在俯視時隔著所述環孔對置的所述側壁部的內側分別形成有突起部。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述金屬基板的所述側面抵接到所述突起部，而在所述側面與所述側壁部之間設置有間隙。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述金屬基板的所述側面與所述側壁部之間的間隙為0.05mm以上且0.9mm以下。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述殼體的形成有對置的所述突起部的對置的所述側壁部之間的第1距離比所述殼體的對置的所述突起部之間的第2距離長，從所述第1距離中減去所述第2距離而得的值大于0mm且為0.6mm以下。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述殼體的對置的所述突起部之間的第2距離與所述金屬基板的被所述突起部支撐的所述側面之間的長度相等或比所述長度長。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，從所述第2距離中減去所述長度而得的值為0mm或0.3mm以下。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述突起部在所述側壁部的開口側形成有錐部。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在所述金屬基板的背面的周邊部形成有塌角面。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述安裝孔分別形成于所述金屬基板的四角，

所述環孔與所述安裝孔對應地分別形成于所述被覆部。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述突起部還分別形成于所述側壁部的中央部。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述安裝孔分別形成于所述金屬基板的對邊的中央部，

所述環孔與所述安裝孔對應地分別形成于所述被覆部。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述突起部還分別形成于與夾著所述環孔的方向垂直的方向的所述側壁部。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述突起部在與所述金屬基板的主面方向平行的剖視圖中呈半圓形狀或尖塔狀，與所述金屬基板抵接的一側呈曲面。

14.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，所述金屬基板的所述側面介由設置于所述間隙的粘接劑而緊貼于所述殼體的所述側壁部。

15.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

準備平板狀的金屬基板和殼體的工序，所述平板狀的金屬基板在俯視時呈矩形狀并在周邊形成有貫通的安裝孔，所述殼體具備包圍收納區域的四周的側壁部和覆蓋所述收納區域且形成有貫通的環孔的被覆部，所述殼體在俯視時隔著所述環孔對置的所述側壁部的內側分別形成有突起部；以及

插入工序，將所述金屬基板插入到所述收納區域，利用所述突起部支撐所述金屬基板的側面。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述插入工序后，所述金屬基板的所述側面與所述突起部抵接，而在所述側面與所述側壁部之間設置有間隙。