[發明專利]變剛度減振裝置

有效

• 申請號: 202010118638.0
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號: CN111623076B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 伊藤優步;井上敏郎
• 申請（專利權）人: 本田技研工業株式會社
• 主分類號: F16F13/30
• 分類號: F16F13/30
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 張美芹;劉久亮

1.一種變剛度減振裝置，所述變剛度減振裝置包括：

環形的第一支撐構件，所述第一支撐構件中限定有內孔；

第二支撐構件，所述第二支撐構件包括：軸向部分，所述軸向部分沿軸向貫穿所述第一支撐構件的所述內孔；以及一對外凸緣，所述一對外凸緣設置在所述軸向部分的沿所述軸向的兩端處，并沿所述軸向與所述第一支撐構件間隔開規定間隔；

一對環形主彈性構件，所述一對環形主彈性構件將所述第一支撐構件和所述一對外凸緣中的各個凸緣連接，并在所述軸向部分周圍限定液體室；

環形分隔彈性構件，所述環形分隔彈性構件將所述第一支撐構件的內周部分和所述軸向部分的外周部分連接，并將所述液體室分隔成第一液體室和第二液體室；

連通通道，所述連通通道設置在所述第一支撐構件和所述軸向部分中的一者中，以使所述第一液體室和所述第二液體室經由所述連通通道彼此連通，所述連通通道包括沿周向延伸的周向通道；

線圈，所述線圈與所述第一支撐構件和所述軸向部分中的所述一者同軸地纏繞并設置在其中；

磁軛，所述磁軛被包括在所述第一支撐構件和所述軸向部分中的所述一者中，并且被構造成形成與所述周向通道至少部分重疊的磁隙；以及

磁性流體，所述磁性流體填充所述第一液體室、所述第二液體室和所述連通通道，

其中，所述磁軛包括環形內磁軛和環形外磁軛，所述外磁軛與所述內磁軛形成一體并與所述內磁軛協作地包圍所述線圈，

當所述軸向定義為豎直方向時，所述外磁軛包括外通道形成構件、上外磁軛和下外磁軛，所述外通道形成構件布置在沿所述外磁軛的所述軸向的中間部分處，所述上外磁軛和所述下外磁軛夾著所述外通道形成構件沿所述軸向層疊，并且

所述外通道形成構件由非磁性材料制成以形成所述磁隙并形成所述周向通道。

2.根據權利要求1所述的變剛度減振裝置，其中，所述第一支撐構件設置有所述連通通道、所述線圈以及所述磁軛。

3.根據權利要求1所述的變剛度減振裝置，其中，所述周向通道沿大于180°的周向范圍設置在所述第一支撐構件中。

4.根據權利要求3所述的變剛度減振裝置，其中，所述周向通道沿等于或大于360°的周向范圍設置在所述第一支撐構件中。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的變剛度減振裝置，其中，所述周向通道位于所述線圈的外周側上。

6.根據權利要求1至4中的任一項所述的變剛度減振裝置，其中，所述軸向部分具有沿所述軸向貫穿的通孔。

7.根據權利要求1至4中的任一項所述的變剛度減振裝置，其中，所述分隔彈性構件至少部分地位于所述第一支撐構件的所述內孔中，并且沿與所述軸向大致正交的方向延伸。

8.根據權利要求1至4中的任一項所述的變剛度減振裝置，其中，所述磁軛包括：

通道形成構件，所述通道形成構件形成所述周向通道；以及

一對層疊構件，所述一對層疊構件夾著所述通道形成構件沿所述軸向層疊，并且

所述通道形成構件的磁導率低于所述一對層疊構件的磁導率。