[發明專利]一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路

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• 申請號: 202010118204.0
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號: CN111181422A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 王星光
• 申請（專利權）人: 福建捷聯電子有限公司
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

本發明公開一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路，利用三極管和同步整流控制IC的驅動輸出端內建的10K下拉電阻組成一個模塊電路，三極管的發射極連接在同步整流MOSFET的柵極的驅動電阻端即第一電阻以及三極管的集電極連接及同步整流MOSFET的源極，進而起到在同步整流控制IC未工作時，將同步整流控制IC的GS端電壓拉低。從而避免同步整流控制IC關斷時Vds在GS極間的分壓超過Vgs(th)而引起的誤觸發動作。本發明克服了Flyback電路開機時，輸出電壓還未建立，同步整流控制IC供電電壓未達到開啟門限電壓時，同步整流受控MOSFET處于失控狀態的問題。

技術領域

本發明涉及電子電路技術領域，尤其涉及一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路。

背景技術

如圖1所示，目前Flyback拓撲結構二次側的同步整流控制IC,柵極驅動輸出端一般采用Push-pull結構，且在輸出端對地集成10K?～100K?電阻。在開機時，Flyback二次側輸出電壓還沒建立，同步整流控制IC的Vdd未達到開啟的門限電壓，此時同步整流控制IC之柵極驅動端對地只有10K?，相當于受控MOSFET的GS端外接10K?電阻。而受控MOSFET在關斷時，Vds上升，此Vds電壓經MOSFET內在的Crss，Ciss及驅動IC驅動引腳對地的10K?電阻分壓，會在GS端產生電壓Vgs，如果此Vgs電壓過大超過MOSFET的Vgs(th),將造成二次側受控MOSFET誤導通，從而初次級MOSFET同時導通，影響同步整流控制回路的可靠性。

發明內容

本發明的目的在于提供一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路。

本發明采用的技術方案是：

一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路，電源連接同步整流MOSFET的漏極，同步整流MOSFET的源極連接同步整流控制IC的接地端，電源通過第二電阻連接同步整流控制IC的電源端和穩壓輸入端，同步整流控制IC的SLEW端通過第三電阻連接其接地端，同步整流控制IC的穩壓輸出端通過第一電容連接其接地端，電路包括二極管、三極管，二極管的陽極分別連接同步整流控制IC的驅動輸出端和三極管的基極；二極管的陰極分別連接三極管的發射極和第一電阻的一端，第一電阻的另一端連接同步整流MOSFET的柵極相連，三極管的集電極分別連接同步整流控制IC的接地端。

進一步地，同步整流控制IC的型號為MF6908。

進一步地，同步整流MOSFET采用的型號為MTE011N10RFP-0-UB-S。

進一步地，第一電阻采用1%的2Ω電阻。

進一步地，第二電阻采用100Ω的電阻。

進一步地，第三電阻采用1/8W的100KΩ電阻。

進一步地，第一電容采用50V 0.47μF的電容。

進一步地，二極管的型號為SCS0520P。

進一步地，三極管為PNP三極管。

進一步地，三極管的型號為MMBT3905。

本發明采用以上技術方案，利用三極管和同步整流控制IC 的驅動輸出端內建的10K下拉電阻組成一個模塊電路，三極管的發射極連接在同步整流MOSFET的柵極的驅動電阻端即第一電阻以及三極管的集電極連接及同步整流MOSFET的源極，進而起到在同步整流控制IC未工作時，將同步整流控制IC的GS端電壓拉低。從而避免同步整流控制IC關斷時Vds在GS極間的分壓超過Vgs(th)而引起的誤觸發動作。本發明克服了Flyback電路開機時，輸出電壓還未建立，同步整流控制IC供電電壓未達到開啟門限電壓時，同步整流受控MOSFET處于失控狀態的問題。

附圖說明