[發明專利]一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路在審
| 申請號： | 202010118204.0 | 申請日： | 2020-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN111181422A | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發明（設計）人： | 王星光 | 申請（專利權）人： | 福建捷聯電子有限公司 |
| 主分類號： | H02M7/217 | 分類號： | H02M7/217 |
| 代理公司： | 福州君誠知識產權代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350000 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 flyback 同步 整流 控制電路 可靠性 電路 | ||
1.一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路，電源連接同步整流MOSFET的漏極，同步整流MOSFET的源極連接同步整流控制IC的接地端，電源通過第二電阻連接同步整流控制IC的電源端和穩壓輸入端，同步整流控制IC的SLEW端通過第三電阻連接其接地端，同步整流控制IC的穩壓輸出端通過第一電容連接其接地端，其特征在于：電路包括二極管、三極管，二極管的陽極分別連接同步整流控制IC的驅動輸出端和三極管的基極；二極管的陰極分別連接三極管的發射極和第一電阻的一端，第一電阻的另一端連接同步整流MOSFET的柵極相連，三極管的集電極分別連接同步整流控制IC的接地端。
2.根據權利要求1所述的一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路，其特征在于：同步整流控制IC的型號為MF6908。
3.根據權利要求1所述的一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路，其特征在于：同步整流MOSFET采用的型號為MTE011N10RFP-0-UB-S。
4.根據權利要求1所述的一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路，其特征在于：第一電阻采用1%的2Ω電阻，第二電阻采用100Ω的電阻，第三電阻采用1/8W的100KΩ電阻。
5.根據權利要求1所述的一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路，其特征在于：第一電容采用50V 0.47μF的電容。
6.根據權利要求1所述的一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路，其特征在于：二極管的型號為SCS0520P。
7.根據權利要求1所述的一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路，其特征在于：三極管為PNP三極管。
8.根據權利要求7所述的一種改善Flyback同步整流控制電路可靠性的電路，其特征在于：三極管的型號為MMBT3905。
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