[發明專利]一種取段穩溫工藝

在審

• 申請號: 202010117511.7
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN113373504A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 趙國偉;徐強;高潤飛;王林;谷守偉;王建平;周澤;楊志;吳樹飛;劉振宇;劉學;劉有益;皇甫亞楠;高建芳;楊瑞峰;郭志榮
• 申請（專利權）人: 內蒙古中環協鑫光伏材料有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發明提供一種取段穩溫工藝，在直拉單晶過程中取段后，進行穩溫，包括以下步驟：下降坩堝；降低單晶的轉速和坩堝的轉速；設定升溫功率，進行升溫。本發明的有益效果是自動化控制調節坩堝的位置、坩堝的轉速、單晶的轉速和升溫功率，縮短再次穩溫工時，降低勞動強度，提高生產效率，自動化程度高，保證了拉晶過程工藝標準的統一。

技術領域

本發明屬于硅單晶制備技術領域，尤其是涉及一種取段穩溫工藝。

背景技術

現有的技術中，在進行取段穩溫時，都需要手動操作，如果操作人員技能不熟練，沒有及時降晶轉，單晶爐會以斷苞時的大晶轉提升單晶，取段過程中會增加絞鋼纜掉單晶風險；如果操作人員沒有及時下降坩堝，可能會出現噴硅，造成生產異常；如果操作人員沒有及時給定升溫功率，會導致溫度偏低，無法滿足下次的穩溫，出現工時浪費的情況。

發明內容

鑒于上述問題，本發明要解決的問題是提供一種取段穩溫工藝，應用于直拉單晶過程取段后穩溫過程中，采用自動化調節坩堝的位置、坩堝的轉速、單晶的轉速和升溫的功率，對坩堝內的硅溶液進行加熱，進行穩溫，自動化程度高，降低勞動強度，縮短再次穩溫工時。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：一種取段穩溫工藝，在直拉單晶過程中取段后，進行穩溫，包括以下步驟：

下降坩堝；

降低單晶的轉速和坩堝的轉速；

設定升溫功率，進行升溫。

進一步的，下降坩堝步驟中，坩堝的下降距離為30-50mm。

進一步的，降低單晶的轉速和坩堝的轉速步驟中，單晶的轉速為2-5rap/min

進一步的，堝的轉速步驟中，坩堝的轉速為3-8rap/min。

進一步的，設定升溫功率步驟中，在引晶功率的基礎上分別增加主加熱器功率和底部加熱器功率。

進一步的，主加熱器功率的功率增加值為10-20kw。

進一步的，底部加熱器功率的功率增加值為5-20kw。

進一步的，在下降坩堝步驟之前，進行單晶的提升。

由于采用上述技術方案，采用自動化控制調節坩堝的位置、坩堝的轉速、單晶的轉速和升溫功率，下降坩堝，避免出現由于液口距過近，導致噴硅異常，自動降低晶轉、堝轉，降低絞鋼纜和掉單晶的風險，自動預制升溫功率，及時升溫，縮短再次穩溫工時，降低勞動強度，提高生產效率，自動化程度高，保證了拉晶過程工藝標準的統一。

附圖說明

圖1是本發明的一實施例的工藝流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步的說明。

圖1示出了本發明一實施例的工藝流程圖，本實施例涉及一種取段穩溫工藝，應用于直拉單晶取段后進行穩溫過程，采用自動化控制取段后的坩堝的位置、坩堝的轉速、單晶的轉速和升溫功率，避免出現由于液口距過近，導致噴硅異常，降低絞鋼纜和掉單晶的風險，及時升溫，縮短再次穩溫工時，自動化程度高，降低勞動強度，提高生產效率。

一種取段穩溫工藝，在直拉單晶過程中取段后，進行穩溫，包括以下步驟：

下降坩堝，在取段時坩堝位置的基礎上，降低坩堝的位置，避免坩堝內硅溶液溫度升高的過程中，由于液口距過近，導致噴硅異常的現象發生；

降低單晶的轉速和坩堝的轉速，在取段時坩堝的轉速和單晶的轉速的基礎上，降低單晶的轉速和坩堝的轉速，便于坩堝內硅溶液溫度的升高；

設定升溫功率，進行升溫，在引晶功率的基礎上，進行增加加熱器功率，對坩堝內硅溶液升溫，便于進行穩溫。