[發(fā)明專利]一種取段穩(wěn)溫工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010117511.7 | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN113373504A | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙國偉;徐強;高潤飛;王林;谷守偉;王建平;周澤;楊志;吳樹飛;劉振宇;劉學;劉有益;皇甫亞楠;高建芳;楊瑞峰;郭志榮 | 申請（專利權）人： | 內(nèi)蒙古中環(huán)協(xié)鑫光伏材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津諾德知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 010070 內(nèi)蒙古自*** | 國省代碼： | 內(nèi)蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 取段穩(wěn)溫 工藝 | ||
1.一種取段穩(wěn)溫工藝，其特征在于：在直拉單晶過程中取段后，進行穩(wěn)溫，包括以下步驟：
下降坩堝；
降低單晶的轉速和坩堝的轉速；
設定升溫功率，進行升溫。
2.根據(jù)權利要求1所述的取段穩(wěn)溫工藝，其特征在于：所述下降坩堝步驟中，所述坩堝的下降距離為30-50mm。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的取段穩(wěn)溫工藝，其特征在于：所述降低單晶的轉速和坩堝的轉速步驟中，所述單晶的轉速為2-5rap/min。
4.根據(jù)權利要求3所述的取段穩(wěn)溫工藝，其特征在于：所述降低單晶的轉速和坩堝的轉速步驟中，所述坩堝的轉速為3-8rap/min。
5.根據(jù)權利要求1或2或4所述的取段穩(wěn)溫工藝，其特征在于：所述設定升溫功率步驟中，在引晶功率的基礎上分別增加主加熱器功率和底部加熱器功率。
6.根據(jù)權利要求5所述的取段穩(wěn)溫工藝，其特征在于：所述主加熱器功率的功率增加值為10-20kw。
7.根據(jù)權利要求6所述的取段穩(wěn)溫工藝，其特征在于：所述底部加熱器功率的功率增加值為5-20kw。
8.根據(jù)權利要求1所述的取段穩(wěn)溫工藝，其特征在于：在所述下降坩堝步驟之前，進行單晶的提升。
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