[發明專利]發光二極管封裝結構、發光二極管封裝模塊在審
| 申請號： | 202010117041.4 | 申請日： | 2017-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN111293199A | 公開（公告）日： | 2020-06-16 |
| 發明（設計）人： | 簡伊辰;徐世昌 | 申請（專利權）人： | 光寶光電（常州）有限公司;光寶科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/38;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58;H01L33/60;H01L21/60;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 張羽;劉國偉 |
| 地址： | 213123 江蘇省常州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 封裝 結構 模塊 | ||
1.一種發光二極管封裝結構，其特征在于，包含：
一承載基板，具有電路結構；
一薄型化芯片位于所述承載基板上，所述薄型化芯片具有一磊晶結構、及位于其底面的成對電極，所述電極接觸于所述電路結構；
一底膠，位于所述薄型化芯片的所述電極間的空隙以支撐所述薄型化芯片；
一視角調整結構，所述視角調整結構至少覆蓋于所述薄型化芯片的所述磊晶結構上；以及
一反射墻，環繞所述視角調整結構與所述薄型化芯片，其中所述發光二極管結構發出的光在光照角度±40度的光強度總和與在視角角度以內的光強面積比值需大于0.7。
2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述底膠為一不透光材料。
3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述反射墻高于所述視角調整結構頂面10～50μm。
4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，上述發光二極管結構發出的光在光照角度0～10度，比值0.23～0.27。
5.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述發光二極管結構發出的光在光照角度10～40度，比值0.50～0.53。
6.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述發光二極管的所述磊晶結構具有一半導體層，所述半導體層的上表面的角錐占表面積20％以上。
7.如權利要求1所述的發光二極管封裝模塊，其特征在于，所述視角調整結構的寬度大于或等于所述磊晶結構的寬度。
8.如權利要求1至7所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述發光二極管的所述視角調整結構具有波長轉換材料。
9.一種發光二極管封裝模塊，其特征在于，包括：
一承載基板，具有電路結構；
數個薄型化芯片置于所述承載基板上，每一所述薄型化芯片具有一磊晶結構、及位于其底面的成對電極，所述電極接觸于所述電路結構；
一底膠，位于每一所述薄型化芯片的所述電極間的空隙以支撐所述薄型化芯片；
一波長轉換層，至少覆蓋于每一所述薄型化芯片的所述磊晶結構上；以及
一反射墻，環繞每一所述波長轉換層與每一所述薄型化芯片，其中所述反射墻的反射率大于70％，并且高于所述波長轉換層頂面10～50μm。
10.如權利要求9所述的發光二極管封裝模塊，其特征在于，所述波長轉換層的寬度大于或等于所述磊晶結構的寬度。
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