[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝模塊

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010117041.4
• 申請(qǐng)日: 2017-01-20
• 公開（公告）號(hào): CN111293199A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 簡(jiǎn)伊辰;徐世昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 光寶光電（常州）有限公司;光寶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/22
• 分類號(hào): H01L33/22;H01L33/38;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58;H01L33/60;H01L21/60;H01L25/075
• 代理公司: 北京律和信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446
• 代理人: 張羽;劉國(guó)偉

一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包含一承載基板、一薄型化芯片、一底膠、一視角調(diào)整結(jié)構(gòu)、以及一反射墻。承載基板具有電路結(jié)構(gòu)；薄型化芯片位于所述承載基板上，薄型化芯片具有一磊晶結(jié)構(gòu)、及位于其底面的成對(duì)電極。電極接觸于所述電路結(jié)構(gòu)；底膠位于薄型化芯片的電極間的空隙以支撐薄型化芯片；視角調(diào)整結(jié)構(gòu)至少覆蓋于薄型化芯片的磊晶結(jié)構(gòu)上；反射墻環(huán)繞視角調(diào)整結(jié)構(gòu)與薄型化芯片，其中發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)發(fā)出的光在光照角度±40度的光強(qiáng)度總和與在視角角度以內(nèi)的光強(qiáng)面積比值需大于0.7。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝模塊，其承載基板上有數(shù)個(gè)薄型化芯片。

本發(fā)明是中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)枺?01710048340.5，申請(qǐng)日：2017年01月20日，發(fā)明名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝模塊及其成形方法)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種可提供預(yù)定視角的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝模塊，特別涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有視角調(diào)整結(jié)構(gòu)，以依據(jù)線性回歸分析的算式調(diào)整所述視角調(diào)整結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)所述預(yù)定的視角。

背景技術(shù)

一般車用及閃光燈等發(fā)光二極管(LED)應(yīng)用，常需要較小的視角以搭配二次光學(xué)透鏡，達(dá)到所需的光形及最佳的光利用率。目前多以透鏡的光學(xué)設(shè)計(jì)來調(diào)整LED的視角大小，產(chǎn)品通常有薄型化的需求，例如手機(jī)閃光燈會(huì)使用較薄的菲涅爾透鏡。除了較小的視角外，為符合不同應(yīng)用的需求，常需要特定的視角用以搭配特定設(shè)計(jì)的二次光學(xué)透鏡。二次光學(xué)透鏡在設(shè)計(jì)上與制造上均增加成本。

塑料電極芯片載體(PLCC)LED或燈泡形(Lamp type)LED是以碗杯設(shè)計(jì)或封裝體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)來控制視角，若要調(diào)整視角便需要開發(fā)相關(guān)的模具，期間花費(fèi)的時(shí)間、設(shè)備與成本較高。

模塑成型(Molding type)的LED，通過透鏡的設(shè)計(jì)或是LED的形狀，可以調(diào)整視角。一般為了達(dá)到縮小視角的效果，會(huì)于LED外圍增加反射墻結(jié)構(gòu)，但反射墻會(huì)吸收芯片的側(cè)向光，造成亮度下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種可提供預(yù)定視角的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)、及發(fā)光二極管封裝模塊，通過調(diào)整視角調(diào)整結(jié)構(gòu)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層整體厚度、反射墻的反射率及二者相對(duì)應(yīng)的高度，而實(shí)現(xiàn)所述預(yù)定的視角，使得光學(xué)設(shè)計(jì)的彈性空間更大。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)既定目的所采取的技術(shù)、方法及技術(shù)效果，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明、附圖，相信本發(fā)明的目的、特征與特點(diǎn)，當(dāng)可由此得以深入且具體的了解，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制者。

附圖說明

圖1A為本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的芯片接合示意圖。

圖1B為本發(fā)明的覆晶式芯片一種覆晶結(jié)構(gòu)實(shí)施例的示意圖。

圖2為本發(fā)明的覆晶式芯片粘貼于承載基板的示意圖。

圖3為本發(fā)明的覆晶式芯片的剝離流程示意圖。

圖4A為本發(fā)明的薄型化芯片的粗化磊晶結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖4B為本發(fā)明圖4A中A部分的局部放大示意圖。

圖5A為本發(fā)明的薄型化芯片貼合波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的示意圖。

圖5B為本發(fā)明的薄型化芯片貼合波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層另一實(shí)施例的示意圖。

圖5C為本發(fā)明的薄型化芯片貼合波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層又一實(shí)施例的示意圖。

圖5D為本發(fā)明的薄型化芯片貼合波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層再一實(shí)施例的示意圖。

圖6為本發(fā)明第一實(shí)驗(yàn)例數(shù)據(jù)的坐標(biāo)圖。

圖7為本發(fā)明依圖4A未貼附波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的0度視角的光形圖。

圖8A為本發(fā)明具有反射墻的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。