[發明專利]動態電壓供應電路及包括其的非易失性存儲器件

在審

• 申請號: 202010116934.7
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111798885A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 宋賢旻
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士系統集成電路有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C7/12
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;阮愛青

本申請公開了一種動態電壓供應電路及包括其的非易失性存儲器件。非易失性存儲器件的動態電壓供應電路包括電壓放大/輸出電路和動態電壓輸出電路。電壓放大/輸出電路接收第一時鐘信號和第二時鐘信號，以在第一時鐘信號具有“低”電平時生成大于供電電壓的動態供電電壓。動態電壓輸出電路在第一時鐘信號具有“低”電平時輸出動態供電電壓，而在第一時鐘信號具有“高”電平時輸出接地電壓。

相關申請的交叉引用

本申請要求2019年4月5日提交的申請號為10-2019-0040377的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本公開的各種實施例總體而言涉及非易失性存儲器件，更具體而言，涉及動態電壓供應電路及包括該動態電壓供應電路的非易失性存儲器件。

背景技術

半導體存儲器件通常根據其數據易失性而被分類為隨機存取存儲(RAM)器件或只讀存儲(ROM)器件。RAM器件是易失性存儲器件，在電源中斷時會丟失其儲存的數據。相反，ROM器件是非易失性存儲器件，即使它們的電源中斷，也保留其儲存的數據。根據數據輸入方法，即數據編程方法，ROM器件也可以被分類為可編程ROM(PROM)器件或掩模ROM器件。PROM器件可以在沒有編程的情況下制造和銷售，并且可以在制造后由客戶(即，用戶)直接編程。在掩模ROM器件的制造期間，可以利用基于用戶請求的數據而制造的注入掩模來對掩模ROM器件進行編程。PROM器件可以包括：一次性PROM(OTPROM)器件、可擦除PROM(EPROM)器件和電可擦除PROM(EEPROM)器件。一旦對OTPROM器件進行了編程，就無法更改已編程OTPROM器件中的數據。

NMOS晶體管或PMOS晶體管可以用作非易失性存儲器件(例如，OTPROM器件)的單元晶體管。當PMOS晶體管用作非易失性存儲器件的單元晶體管時，PMOS單元晶體管可以具有關斷狀態作為其初始狀態，并且可以具有導通狀態作為其編程狀態?？梢酝ㄟ^感測連接至選自PMOS單元晶體管中的任何一個的位線的電壓電平來執行PMOS單元晶體管的讀取操作。在這種情況下，可以通過耦接在供電電壓線與位線之間的負載電阻器的電阻值與選中的PMOS單元晶體管的等效電阻值之比來確定位線的電壓電平。隨著電子系統按比例縮小并分類為更多種類的系統，需要更多的供電電壓電平來操作在電子系統中使用的非易失性存儲器件。具體地，如果非易失性存儲器件被嵌入在便攜式器件中，則根據便攜式器件的電池的功耗，可以通過減小供電電壓的大小來限制非易失性存儲器件的工作范圍。

發明內容

根據實施例，一種動態電壓供應電路包括電壓放大/輸出電路和動態電壓輸出電路。電壓放大/輸出電路接收第一時鐘信號和第二時鐘信號，以在第一時鐘信號具有“低”電平時生成大于供電電壓的動態供電電壓。動態電壓輸出電路在第一時鐘信號具有“低”電平時輸出動態供電電壓，而在第一時鐘信號具有“高”電平時輸出接地電壓。

根據另一個實施例，一種非易失性存儲器件包括動態電壓供應電路、非易失性存儲單元和感測放大電路。動態電壓供應電路被配置為包括電壓放大/輸出電路和動態電壓輸出電路。電壓放大/輸出電路接收第一時鐘信號和第二時鐘信號，以在第一時鐘信號具有“低”電平時生成大于供電電壓的動態供電電壓。動態電壓輸出電路在第一時鐘信號具有“低”電平時輸出動態供電電壓，而在第一時鐘信號具有“高”電平時輸出接地電壓。非易失性存儲單元耦接在連接至具有動態供電電壓的動態電壓供應線的位線與接地電壓端子之間。感測放大電路響應于在位線處誘發的位線電壓而選擇性地輸出動態供電電壓和接地電壓中的任意一個。