[發(fā)明專利]量子點膜的封裝方法以及封裝量子點膜和應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010116893.1
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN112420898A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李飛;鐘海政;柏澤龍;王晶晶;鄧沖
• 申請（專利權(quán)）人: 致晶科技（北京）有限公司;北京理工大學(xué)
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;C09K11/02
• 代理公司: 北京元周律知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11540
• 代理人: 張瑩;楊曉云

本申請公開了一種量子點膜的封裝方法以及封裝量子點膜。該封裝方法包括將阻隔膜通過熱壓的方式封裝在量子點膜的兩側(cè)，即可得到封裝量子點膜；其中，所述量子點膜為含有量子點和聚合物的復(fù)合膜。該方法實現(xiàn)了無粘合劑封裝，提高了量子點/聚合物復(fù)合薄膜的發(fā)光穩(wěn)定性的同時降低了生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及一量子點膜的封裝方法以及封裝量子點膜和應(yīng)用，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

鹵化鉛基鈣鈦礦納米晶(又稱鈣鈦礦量子點)材料作為“量子點家族”中的新成員，具有溶液法制備、顏色可調(diào)、量子產(chǎn)率高等突出特點，有潛力成為新一代顯示材料應(yīng)用于發(fā)光二極管光、激光、光學(xué)檢測和生物標(biāo)記等領(lǐng)域。相比于研究的比較成熟的II-VI族化合物量子點(以CdSe為代表)，鈣鈦礦納米晶的波長調(diào)節(jié)范圍更廣、成本更低，并且由于是新材料，使我國更有希望突破國外技術(shù)壁壘，掌握顯示領(lǐng)域的科技制高點。此外，由于II-VI族化合物量子點中含有Cd元素，使其在日常生活中的應(yīng)用收到了限制，目前歐盟已經(jīng)決定從2019年起禁止出售含有Cd的電視。因此發(fā)展更加環(huán)保的無Cd量子點進(jìn)行實際應(yīng)用顯得非常急迫。而鈣鈦礦納米晶是II-VI族化合物量子點的潛在替代材料。

目前有機無機雜化鈣鈦礦納米晶在應(yīng)用中存在的最大的問題是其結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定性。氧氣和水、紫外光、制備過程中的溶劑以及高溫等都會使其發(fā)生分解。有機無機雜化鈣鈦礦納米晶的分解過程如下：

由分解過程可以看出，當(dāng)有機無機雜化鈣鈦礦納米晶經(jīng)過第一步分解后其產(chǎn)物CH₃NH₃I還會繼續(xù)分解，并在第三步中生成H₂O。CH₃NH₃I的進(jìn)一步分解以及H₂O的生成又會促進(jìn)有機無機雜化鈣鈦礦納米晶的分解，因此有機無機鈣鈦礦納米晶的穩(wěn)定性差。為了提高鈣鈦礦納米晶的穩(wěn)定性，人們將CH₃NH₃⁺離子替換為Cs⁺離子。由于CsPbX₃分解后生成的CsX不會發(fā)生進(jìn)一步的分解，因此全無機鈣鈦礦納米晶的穩(wěn)定性相對于有機無機雜化鈣鈦礦納米晶有了明顯的提高。但是由于鈣鈦礦納米晶的離子晶體特性，即使將CH₃NH₃⁺離子替換為Cs⁺離子，其本身的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性仍然不能滿足實際應(yīng)用需求，必須將鈣鈦礦納米晶封裝后隔絕水、氧才能用于日常使用。封裝后鈣鈦礦納米晶薄膜是兩側(cè)為阻隔膜，中間為鈣鈦礦納米晶膜的三明治結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)的封裝方法為將鈣鈦礦量子點涂布到一層阻隔膜上，再用粘合劑將另一層阻隔膜與鈣鈦礦納米晶層粘貼。該方法存在的問題是粘合劑與鈣鈦礦納米晶具有反應(yīng)活性，在使用的過程中粘合劑會破壞鈣鈦礦納米晶，從而使薄膜的發(fā)光性能下降。開發(fā)鈣鈦礦納米晶薄膜封裝的粘合劑需要大量的工作，并且使用粘合劑也會增加最終產(chǎn)品的成本。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種量子點膜的封裝方法，該封裝方法能夠顯著提高量子點薄膜的穩(wěn)定性并且降低產(chǎn)品成本。

一種量子點膜的封裝方法，將阻隔膜通過熱壓的方式封裝在量子點膜的兩側(cè)，即可得到封裝量子點膜；

其中，所述量子點膜為含有量子點和聚合物的復(fù)合膜。

具體地，本申請?zhí)峁┝艘环N量子點/聚合物復(fù)合薄膜的封裝方法，封裝方法將阻隔膜通過熱壓的方式封裝在所述量子點薄膜的兩側(cè)，即可得到封裝的量子點/聚合物復(fù)合薄膜。

可選地，所述封裝方法包括將膜層A與膜層B通過熱壓的方式完成封裝；

所述膜層A中含有量子點膜Ⅰ和第一阻隔膜，所述量子點膜Ⅰ附著在所述第一阻隔膜上；

所述膜層B中包括第二阻隔膜；