[發明專利]量子點膜的封裝方法以及封裝量子點膜和應用

在審

• 申請號: 202010116893.1
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN112420898A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 李飛;鐘海政;柏澤龍;王晶晶;鄧沖
• 申請（專利權）人: 致晶科技（北京）有限公司;北京理工大學
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;C09K11/02
• 代理公司: 北京元周律知識產權代理有限公司 11540
• 代理人: 張瑩;楊曉云

1.一種量子點膜的封裝方法，其特征在于，將阻隔膜通過熱壓的方式封裝在量子點膜的兩側，即可得到封裝量子點膜；

其中，所述量子點膜為含有量子點和聚合物的復合膜。

2.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括將膜層A與膜層B通過熱壓的方式完成封裝；

所述膜層A中含有量子點膜Ⅰ和第一阻隔膜，所述量子點膜Ⅰ附著在所述第一阻隔膜上；

所述膜層B中包括第二阻隔膜；

所述量子點膜Ⅰ位于所述第一阻隔膜和所述第二阻隔膜之間；

優選地，所述膜層B為所述第二阻隔膜；

優選地，所述膜層B還包括量子點膜Ⅱ，所述量子點膜Ⅱ附著在所述第二阻隔膜上；

所述量子點膜Ⅰ與所述量子點膜Ⅱ相對放置；

優選地，所述膜層B還包括無機熒光粉膜，所述無機熒光粉膜附著在所述第二阻隔膜上；

所述量子點膜Ⅰ與無機熒光粉膜相對放置；

優選地，所述無機熒光粉膜包括無機熒光粉和聚合物，所述無機熒光粉嵌入所述聚合物中；

所述無機熒光粉與所述聚合物中的質量百分比為1～20wt％；

優選地，所述無機熒光粉的顆粒尺寸不大于200μm；

優選地，所述無機熒光粉膜的厚度為5～200μm；

優選地，在所述量子點膜中，所述量子點嵌入所述聚合物中；

所述量子點與所述聚合物的質量百分比為1～20wt％；

優選地，所述量子點膜的厚度為0.1～100μm；

優選地，所述量子點膜中的聚合物或無機熒光粉膜中的聚合物獨立地選自聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯和三氟乙烯共聚物、聚丙烯腈、聚醋酸乙烯酯、醋酸纖維素、氰基纖維素、聚砜、芳香聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的至少一種；

優選地，所述阻隔膜包括聚偏二氯乙烯膜、乙烯-乙烯醇共聚物膜、間二甲基胺和已二酸縮聚物膜、氧化物鍍覆膜中的至少一種；

優選地，所述阻隔膜的厚度為5-1500μm；

優選地，所述熱壓的條件為：熱壓溫度40℃～180℃；熱壓時間0.01～40s；

優選地，所述封裝方法包括方法一、方法二或方法三中的任一種；

方法一包括：將一張單側附著有量子點膜Ⅰ的第一阻隔膜與另一張第二阻隔膜相對放置，所述量子點膜Ⅰ朝向所述第二阻隔膜，通過熱壓的方式完成封裝；

方法二包括：將一張單側附著有量子點膜Ⅰ的第一阻隔膜與另一張單側附著有量子點膜Ⅱ的第二阻隔膜相對放置，所述量子點膜Ⅰ和量子點膜Ⅱ相對，通過熱壓的方式完成封裝；

方法三包括：將一張單側附著有量子點膜Ⅰ的第一阻隔膜與另一張單側附著有無機熒光粉膜的第二阻隔膜相對放置，所述量子點膜Ⅰ與無機熒光粉膜相對，通過熱壓的方式完成封裝；

優選地，所述方法二包括，將所述量子點膜Ⅰ與量子點膜Ⅱ之間加入聚合物膜層，通過熱壓的方式完成封裝；

所述方法三包括：將所述量子點膜Ⅰ和無機熒光粉膜之間加入聚合物膜層，通過熱壓的方式完成封裝；

優選地，所述聚合物膜層包括聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯和三氟乙烯共聚物、聚丙烯腈、聚醋酸乙烯酯、醋酸纖維素、氰基纖維素、聚砜、芳香聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的至少一種；

優選地，所述聚合物膜層的厚度為5-100μm；

優選地，所述量子點選自鈣鈦礦型量子點、II-VI族系列量子點、InP系列量子點或者CuInS₂系列量子點中的任一種；

所述鈣鈦礦型量子點選自具有結構通式ABX₃、結構通式A₃B₂X₉、結構通式A₂BX₆或結構通式(RNH₃)₂A_m-1B_mX_3m+1中的化合物中的任一種；

其中，A位為一價金屬陽離子或者一價有機陽離子，B位為二價或者三價金屬陽離子，X為鹵素陰離子，R代表烷基或者芳香基團，m代表有機鏈之間的金屬陽離子層數，m的取值范圍為1～100；

所述II-VI族系列量子點包括II-VI族量子點、II-VI族摻雜量子點、II-VI族核殼結構量子點中的任一種；

所述II-VI族量子點包括具有結構通式A’B’的化合物中的任一種

其中，A’選自Cd、Zn、Cu、Pb、Mn、Sn中的一種或者兩種；

B’選自S、Se、Te中的至少一種；

所述II-VI族摻雜量子點中含有摻雜元素，所述摻雜元素包括Cu、Ag、Mn、Al中的至少一種；

所述II-VI族核殼結構量子點中，內核為II-VI族量子點，外殼為II-VI族化合物成分；

所述InP系列量子點包括InP量子點、InP摻雜量子點、InP核殼結構量子點中的任一種；

所述InP摻雜量子點中含有摻雜元素，所述摻雜元素包括Cd、Zn、Cu、Ag、Mn、Al中的至少一種；

所述InP核殼結構量子點中，內核為InP量子點、外殼為II-VI族化合物成分；

所述CuInS₂系列量子點包括CuInS₂量子點、CuInS₂摻雜量子點中的任一種；

所述CuInS₂摻雜量子中含有摻雜元素，所述摻雜元素包括Cd、Zn、Ag、Mn中的至少一種；

優選地，A選自CH₃NH₃⁺、CH(NH)NH₃⁺、Cs⁺、Rb⁺、C₆H₅CH₂NH₃⁺、C₆H₅(CH₂)₂NH₃⁺中的至少一種；

B選自Pb²⁺、Cu²⁺、Sb³⁺、Bi³⁺、In³⁺、Al³⁺、Sn²⁺、Cd²⁺、Zn²⁺中的至少一種。