[發明專利]半導體器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010116555.8
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN113380885A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 穆克軍
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 汪潔麗

1.一種半導體器件制備方法，其特征在于，包括：

在摻雜區的表層形成源區和/或漏區，所述摻雜區具有第一導電類型，所述源區和漏區具有第二導電類型；

在所述摻雜區上形成第一介質層，所述第一介質層開設有暴露出所述源區和/或漏區的窗口；

通過所述窗口形成與所述源區和/或漏區接觸的墊高層，所述墊高層具有第二導電類型；

在所述第一介質層和所述墊高層上形成第二介質層，所述第二介質層開設有穿透所述第二介質層并延伸至所述墊高層內部的接觸孔；

在所述接觸孔內填充電極材料，形成與所述墊高層接觸的電極。

2.如權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述墊高層的材質為多晶硅，所述墊高層的摻雜濃度大于所述源區和/或漏區的摻雜濃度。

3.如權利要求2所述的半導體器件制備方法，其特征在于，通過所述窗口形成與所述源區和/或漏區接觸的墊高層，包括：

沉積多晶硅，所述多晶硅填充所述窗口并覆蓋所述窗口以外的區域；

回刻所述多晶硅，去除所述窗口以外區域的多晶硅和所述窗口頂部的多晶硅，保留所述窗口底部的多晶硅，形成所述墊高層。

4.如權利要求3所述的半導體器件制備方法，其特征在于，在沉積多晶硅期間，對多晶硅進行摻雜，使所沉積的多晶硅具有第二導電類型。

5.如權利要求3所述的半導體器件制備方法，其特征在于，在保留所述窗口底部的多晶硅后，對所保留的多晶硅進行摻雜，形成具有第二導電類型的墊高層。

6.如權利要求2所述的半導體器件制備方法，其特征在于，在所述接觸孔內填充導電材料之前，還包括：

通過所述接觸孔在所述墊高層所暴露的表面形成金屬硅化物。

7.如權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述第一介質層和所述第二介質層均為二氧化硅。

8.如權利要求1至7任一項所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述半導體器件為動態隨機存取存儲器。

9.一種半導體器件，其特征在于，包括：

摻雜區，所述摻雜區的表層形成有源區和/或漏區，所述摻雜區具有第一導電類型，所述源區和漏區具有第二導電類型；

墊高層，形成于所述源區和/或漏區上并與所述源區和/或漏區接觸，所述墊高層具有第二導電類型；

介質層，形成于所述摻雜區和所述墊高層上；

電極，穿透所述介質層并延伸至所述墊高層內部以與所述墊高層電連接。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述墊高層的材質為多晶硅，所述墊高層的摻雜濃度大于所述源區和/或漏區的摻雜濃度。

11.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，在所述墊高層與所述電極的接觸面還形成有金屬硅化物。

12.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述摻雜區為具有第一導電類型的半導體襯底或形成于半導體襯底內的具有第一導電類型的阱區。

13.如權利要求9至12任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為動態隨機存取存儲器。