[發明專利]一種原子沉積置物框與原子沉積設備在審
| 申請號: | 202010116405.7 | 申請日: | 2020-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN111180371A | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 侯新傾;劉權輝;周超;吳克恒 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L31/18;H01L21/02;C23C16/40;C23C16/458 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 原子 沉積 置物框 設備 | ||
本發明公開了一種原子沉積置物框,包括置物單元,所述置物單元包括多個置物臺面;多個所述置物臺面套嵌設置于所述置物單元中,且尺寸較小的所述置物臺面位置低于尺寸較大的所述置物臺面;尺寸最小的所述置物臺面底部包括負壓腔體,所述負壓腔體包括多個放氣孔。本發明通使不同尺寸的待沉積硅片都能有適合的置物臺面將其固定,實現同一原子沉積置物框能提供多種規格的待沉積硅片使用的效果,大大降低了生產成本,且由于在更換不同尺寸的待沉積硅片后不需要像現有技術一樣隨之更換新的原子沉積置物框,不需要重新進行對應的飽和工藝及藍膜檢測,簡化了工藝流程,提高了生產效率。本發明還提供了一種具有上述有益效果的原子沉積設備。
技術領域
本發明涉及新材料加工設備領域,特別是涉及一種原子沉積置物框與原子沉積設備。
背景技術
在晶體硅太陽能電池的生產中,氧化鋁鈍化技術是光伏太陽能電池行業最核心的鈍化技術,其中原子沉積氧化鋁膜方式是制備氧化鋁膜層最主要的方式之一。利用原子沉積方式制備沉積氧化鋁時,要將硅片放在專門的載板上,我們稱載板為置物框。我們目前使用的置物框費用高昂,且僅能提供單規格尺寸硅片的使用。這就使得在產線更換其他尺寸的硅片進行生產后就必須更換相應規格尺寸的置物框,還要進行對應的飽和工藝和藍膜檢測工藝。而置物框的更換,置物框的飽和處理都會增加員工的工作量,且同時都會影響設備的開機效率。除此之外,更換新尺寸的置物框后,舊尺寸的置物框只能作廢處理,使得車間購買備件的費用升高,進而增加了生產線的投入成本。
因此,如何解決現有技術中的同一置物框只能對應單一尺寸的硅片生產,使得更換生產硅片的尺寸時生產效率下降、生產成本上高的問題,是本領域技術人員亟待解決的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種原子沉積置物框與原子沉積設備,以解決現有技術中同一置物框只能對應單一尺寸的硅片生產,使得更換生產硅片的尺寸時生產效率下降、生產成本上高的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種原子沉積置物框,包括置物單元,所述置物單元包括多個置物臺面;
多個所述置物臺面套嵌設置于所述置物單元中,且尺寸較小的所述置物臺面位置低于尺寸較大的所述置物臺面;
尺寸最小的所述置物臺面底部包括負壓腔體,所述負壓腔體包括多個放氣孔。
可選地,在所述的原子沉積置物框中,所述原子沉積置物框包括多個所述置物單元;
多個所述置物單元矩陣分布于同一平面上。
可選地,在所述的原子沉積置物框中,所述置物臺面為矩形置物臺面。
可選地,在所述的原子沉積置物框中,所述矩形置物臺面為直角矩形置物臺面。
可選地,在所述的原子沉積置物框中,所述負壓腔體在尺寸最小的所述置物臺面上的開口為矩形開口。
可選地,在所述的原子沉積置物框中,所述矩形開口為倒角矩形開口。
可選地,在所述的原子沉積置物框中,所述放氣孔的直徑的范圍為0.2毫米至6毫米,包括端點值。
可選地,在所述的原子沉積置物框中,每個所述置物單元包括2個置物臺面。
可選地,在所述的原子沉積置物框中,所述原子沉積置物框為石墨置物框。
一種原子沉積設備,所述原子沉積設備包括如上述任一種所述的原子沉積置物框。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





