[發明專利]一種原子沉積置物框與原子沉積設備在審
| 申請號： | 202010116405.7 | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN111180371A | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發明（設計）人： | 侯新傾;劉權輝;周超;吳克恒 | 申請（專利權）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673;H01L31/18;H01L21/02;C23C16/40;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王雨 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 原子 沉積 置物框 設備 | ||
1.一種原子沉積置物框，其特征在于，包括置物單元，所述置物單元包括多個置物臺面；
多個所述置物臺面套嵌設置于所述置物單元中，且尺寸較小的所述置物臺面位置低于尺寸較大的所述置物臺面；
尺寸最小的所述置物臺面底部包括負壓腔體，所述負壓腔體包括多個放氣孔。
2.如權利要求1所述的原子沉積置物框，其特征在于，所述原子沉積置物框包括多個所述置物單元；
多個所述置物單元矩陣分布于同一平面上。
3.如權利要求2所述的原子沉積置物框，其特征在于，所述置物臺面為矩形置物臺面。
4.如權利要求3所述的原子沉積置物框，其特征在于，所述矩形置物臺面為直角矩形置物臺面。
5.如權利要求1所述的原子沉積置物框，其特征在于，所述負壓腔體在尺寸最小的所述置物臺面上的開口為矩形開口。
6.如權利要求5所述的原子沉積置物框，其特征在于，所述矩形開口為倒角矩形開口。
7.如權利要求1所述的原子沉積置物框，其特征在于，所述放氣孔的直徑的范圍為0.2毫米至6毫米，包括端點值。
8.如權利要求1所述的原子沉積置物框，其特征在于，每個所述置物單元包括2個置物臺面。
9.如權利要求1至8任一項所述的原子沉積置物框，其特征在于，所述原子沉積置物框為石墨置物框。
10.一種原子沉積設備，其特征在于，所述原子沉積設備包括如權利要求1至9中任一項所述的原子沉積置物框。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
