[發明專利]一種沉浸式金剛線切割晶硅及冷卻潤滑的方法

在審

• 申請號: 202010115991.3
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111186041A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 仇健;張善保;葛任鵬
• 申請（專利權）人: 青島高測科技股份有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/02;B28D7/00
• 代理公司: 北京卓嵐智財知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11624
• 代理人: 郭智

本發明涉及一種沉浸式金剛線切割晶硅及冷卻潤滑的方法，屬于晶硅加工領域，金剛線沉浸在切削液中切割晶硅，切削液進入切割區，對切割區進行冷卻和潤滑，切削液浸滿沉浸槽，金剛線貫穿沉浸槽并沉浸在切削液中對晶硅進行切割，切削液帶入切割區，切割區帶出的切屑由沉浸槽下方的泄流口排出，所述沉浸槽設置于金剛線網下方，其包括側壁和與側壁相連接的槽底，所述側壁和槽底圍成容納切削液的空間，金剛線對應的側壁上部設置有供金剛線貫穿的線槽，使用該方法切割的晶硅表面粗糙度質量更好，尤其在高進給速率等高生產率下，表面粗糙度更好，顯著提高晶硅產品的質量，成本低廉、構思巧妙，應用前景廣泛。

技術領域

本發明屬于晶硅加工領域，具體地說涉及一種沉浸式金剛線切割晶硅及冷卻潤滑的方法。

背景技術

晶硅是太陽能電池板實現光電轉換的重要組成部分，其需要經過多個工序的加工才能成為符合標準的晶硅片。在晶硅的加工過程中，加工效率和切割質量是單/多線金剛線切割領域主要關注的問題。傳統的加工過程中采用噴淋作為主要的降溫方式，傳統噴嘴噴淋和澆注方式可以一定程度上降低切削區溫度，沖走切屑，但是由于金剛線線徑極細，在多線切割方面線徑可低至50μm，單線截斷也可達到120μm以下。因此，切縫極小，切削液在細線帶入切削區的能力較有限，不能保證充足的冷卻和潤滑效果，尤其是切削液的潤滑能力沒有充分發揮，導致切削質量和加工效率受到一定的限制。因此，有效提高切削液的潤滑能力對單/多線金剛線切割領域中加工效率和切割質量的提高具有極為重要的意義。

發明內容

針對現有技術的種種不足，現提出一種沉浸金剛線切割晶硅的方法，能夠使得金剛線沉浸在切削液中，有效保證切削液進入切縫，充分發揮切削液的潤滑能力和冷卻效果。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種沉浸式金剛線切割晶硅及冷卻潤滑的方法，金剛線沉浸在切削液中切割晶硅，切削液進入切割區，對切割區進行冷卻和潤滑。

進一步，切削液浸滿沉浸槽，金剛線貫穿沉浸槽并沉浸在切削液中對晶硅進行切割，切削液帶入切割區，切割區帶出的切屑由沉浸槽下方的泄流口排出。

進一步，所述沉浸槽設置于金剛線網下方，所述沉浸槽的上部開口，其包括側壁和與側壁相連接的槽底，所述側壁和槽底圍成容納切削液的空間，金剛線對應的側壁上部設置有供金剛線貫穿的線槽。

進一步，所述槽底設置有凸起，且所述凸起朝向沉浸槽的開口，利于切屑向槽底邊緣聚集。

進一步，所述側壁與槽底相接處設置有多個泄流口，供切削液排出。

進一步，所述沉浸槽的縱截面成矩形，且所述泄流口沿著沉浸槽的長度方向設置。

進一步，在金剛線網的上方設置有噴嘴，用于補充沉浸槽內的切削液。

進一步，所述噴嘴設置在晶硅的兩側。

本發明的有益效果是：

1、金剛線沉浸在切削液中切割晶硅，實現沉浸切削，有效克服切削區內金剛線較細，切入硅棒兩側夾緊金剛線，線縫極小，普通澆注方法切削液無法進入切割區的弊端，對切削區更好地潤滑和冷卻的目的，創新性極強。

2、沉浸槽底設置泄流口，用于排出沉淀到槽底的切屑和切削液。

3、沉浸槽上部開設線槽，有效避免側壁干涉金剛線。

4、噴嘴位于硅棒兩側的上方，補充沉浸槽損失切削液，減少對金剛線切割的影響。

附圖說明

圖1是沉浸槽的整體結構示意圖；

圖2是本發明的結構示意圖；

圖3是本發明的切割區結構示意圖；