[發明專利]一種高精度集成電路引線框架蝕刻工藝的改進方法

在審

• 申請號: 202010115521.7
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111403295A
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 邵文慶;袁永衛;李圓圓;高平;劉亞飛
• 申請（專利權）人: 常州弘盛達電子設備有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/495;C23F1/18;C23F1/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種高精度集成電路引線框架蝕刻工藝的改進方法，本發明涉及電子產品加工技術領域，大幅度減少噴嘴用量，加大噴嘴間的列間距，加高噴嘴噴淋高度，以用來達到調整上下噴嘴的噴淋壓力的目的；計算噴嘴最佳噴淋角度后重新選小流量小角度的實心錐形噴嘴；加大擺動幅度與擺動頻率使新舊蝕刻液在板面上交換更迅速；將蝕刻泵進行改造將高壓降低1/4，并調整傳送速度，使水壓更趨平穩無跳動。達到了批量做板精度和試樣板精度完全一致，采用上述改進后的蝕刻工藝加工高精度集成電路引線框架，做板達一萬到三萬條，大大提高加工效率。

技術領域

本發明涉及電子產品加工技術領域，具體涉及一種高精度集成電路引線框架蝕刻工藝的改進方法。

背景技術

在印制電路板制造中，將覆銅箔板表面由化學蝕刻去除不需要的銅導體, 留下是需要的銅導體形成線路圖形, 這種減去法工藝是當前印制板加工的主流。對銅實現化學蝕刻的關鍵是蝕刻溶液、蝕刻設備和蝕刻操作條件。蝕刻溶液目前是以氯化銅與鹽酸的酸性氯化銅蝕刻液,及以氯化銅與氨水的堿性氯化銅蝕刻液為主流, 這方面在深入改進的是提高蝕刻溶液的蝕刻速率、穩定性與再生利用。蝕刻操作條件是對溫度、壓力、時間以及溶液濃度等工藝參數的控制, 使蝕刻過程處于最佳狀態。蝕刻設備是圍繞著生產效率、蝕刻速度和蝕刻均勻性、蝕刻液的控制和回收而不斷改進。

化學蝕刻工藝不但在印制電路板制造中應用，在金屬網罩、集成電路引線框架制造，甚至集成電路芯片制造中都用到。它們的原理是相同的，設備硬件是相通的。

蝕刻法制作集成電路引線框工藝流程為：引線框架底片設計制版、金屬基板開料與清潔處理→貼膜→曝光→顯影→腐蝕→去膜→清洗→防氧化變色處理→檢驗包裝。集成電路引線框架需要完成掩膜制備和腐蝕成形兩大階段。其中,以光致抗蝕干膜作掩膜層完成圖形轉移，選用的自動曝光機有CCD定位系統確保了雙面定位精確。因此，引線框架的精度就落實于蝕刻過程了。

發明內容

本發明的目的在于針對現有技術的缺陷和不足，提供一種設計合理的高精度集成電路引線框架蝕刻工藝的改進方法，達到了批量做板精度和試樣板精度完全一致，采用上述改進后的蝕刻工藝加工高精度集成電路引線框架，做板達一萬到三萬條，大大提高加工效率。

為達到上述目的，本發明采用了下列技術方案：它的改進步驟如下：

一、選用酸性和堿性氯化銅蝕刻液，調節蝕刻缸內溫度為50±5℃，蝕刻生產設備采用水平傳送方式，同時采用扁平扇形噴嘴進行噴淋蝕刻；

二、大幅度減少噴嘴用量，加大噴嘴間的列間距，加高噴嘴噴淋高度，以用來達到調整上下噴嘴的噴淋壓力的目的；

三、計算噴嘴最佳噴淋角度后重新選小流量小角度的實心錐形噴嘴；

四、加大擺動幅度與擺動頻率使新舊蝕刻液在板面上交換更迅速；

五、將蝕刻泵進行改造將高壓降低1/4，并調整傳送速度，使水壓更趨平穩無跳動。

進一步地，所述的步驟二中噴嘴的用量為現有技術中用量的1/3。

進一步地，所述的步驟四中的加大擺動幅度與擺動頻率，具體為將擺動頻率提高1/3，并采用變頻器控制速率。

采用上述方法后，本發明的有益效果是：本發明提供了一種高精度集成電路引線框架蝕刻工藝的改進方法，達到了批量做板精度和試樣板精度完全一致，采用上述改進后的蝕刻工藝加工高精度集成電路引線框架，做板達一萬到三萬條，大大提高加工效率。

具體實施方式：

本具體實施方式采用如下技術方案：它的改進步驟如下：

一、選用酸性和堿性氯化銅蝕刻液，調節蝕刻缸內溫度為50±5℃，蝕刻生產設備采用水平傳送方式，同時采用扁平扇形噴嘴進行噴淋蝕刻；