[發(fā)明專利]一種高精度集成電路引線框架蝕刻工藝的改進方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010115521.7
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111403295A
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 邵文慶;袁永衛(wèi);李圓圓;高平;劉亞飛
• 申請（專利權）人: 常州弘盛達電子設備有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/495;C23F1/18;C23F1/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高精度集成電路引線框架蝕刻工藝的改進方法，其特征在于：它的改進步驟如下：

（一）、選用酸性和堿性氯化銅蝕刻液，調(diào)節(jié)蝕刻缸內(nèi)溫度為50±5℃，蝕刻生產(chǎn)設備采用水平傳送方式，同時采用扁平扇形噴嘴進行噴淋蝕刻；

（二）、大幅度減少噴嘴用量，加大噴嘴間的列間距，加高噴嘴噴淋高度，以用來達到調(diào)整上下噴嘴的噴淋壓力的目的；

（三）、計算噴嘴最佳噴淋角度后重新選小流量小角度的實心錐形噴嘴；

（四）、加大擺動幅度與擺動頻率使新舊蝕刻液在板面上交換更迅速；

（五）、將蝕刻泵進行改造將高壓降低1/4，并調(diào)整傳送速度，使水壓更趨平穩(wěn)無跳動。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種高精度集成電路引線框架蝕刻工藝的改進方法，其特征在于：所述的步驟（二）中噴嘴的用量為現(xiàn)有技術中用量的1/3。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種高精度集成電路引線框架蝕刻工藝的改進方法，其特征在于：所述的步驟（四）中的加大擺動幅度與擺動頻率，具體為將擺動頻率提高1/3，并采用變頻器控制速率。