[發明專利]一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202010115403.6 | 申請日: | 2020-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN111354869B | 公開(公告)日: | 2023-02-07 |
| 發明(設計)人: | 胡兵 | 申請(專利權)人: | 納晶科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H10K50/87 | 分類號: | H10K50/87;H10K59/12;H10K59/17;H10K71/00 |
| 代理公司: | 寧波聚禾專利代理事務所(普通合伙) 33336 | 代理人: | 顧賽喜;糜婧 |
| 地址: | 310052 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
襯底基板;
像素界定層,所述像素界定層包括多個像素隔離結構,所述像素隔離結構之間形成多個相互隔離的子像素區域,各所述子像素區域具有坑底;
導熱構件,所述導熱構件設置于所述襯底基板和所述像素界定層之間,所述導熱構件包括多個主導熱部以及多個次導熱部,所述次導熱部連接各個所述主導熱部,所述主導熱部在所述襯底基板的正投影位于所述子像素區域的內周,所述次導熱部在所述襯底基板的正投影位于所述子像素區域的外周,所述主導熱部在所述子像素區域的投影面積大于所述次導熱部在所述子像素區域的投影面積,其中,所述次導熱部包括窄導線和寬導線,所述窄導線連接各個所述主導熱部和所述寬導線,所述寬導線在所述襯底基板的投影位于所述像素隔離結構在所述襯底基板的投影內,所述寬導線位于相鄰的所述主導熱部之間,所述寬導線的寬度大于所述窄導線的寬度,所述寬導線的長度不大于兩個相鄰的所述子像素區域之間的距離;
平緩部,所述平緩部絕緣地設置于所述導熱構件的上方,所述像素界定層位于所述平緩部的上表面。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述導熱構件可選擇地連接于溫控源,所述溫控源為加熱源或冷卻源,使得所述導熱構件對所述顯示基板加熱或散熱。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述主導熱部的導熱系數和所述次導熱部的導熱系數相同或不同,當所述溫控源為加熱源時,所述主導熱部對所述子像素區域內周的導熱量大于所述次導熱部對所述子像素區域外周的導熱量,使得在所述顯示基板上設置墨水時,所述子像素區域內周的墨水溶劑蒸發速率不小于所述子像素區域外周的墨水溶劑蒸發速率。
4.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述主導熱部的所述正投影的面積小于所述坑底的面積,所述主導熱部在所述襯底基板的投影中心和所述坑底在所述襯底基板的投影中心相重合。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述主導熱部的正投影面積和所述坑底的面積比為1:1.5~9。
6.根據權利要求1~5中任一所述的顯示基板,其特征在于,所述主導熱部和所述次導熱部的厚度相同或不同,所述主導熱部和所述次導熱部的厚度為0.5~5μm。
7.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述主導熱部和所述次導熱部的厚度為0.8~2μm,所述主導熱部的正投影面積和所述坑底的面積比為1:3~5。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1~7中任一所述的顯示基板。
9.一種如權利要求1~8中任一所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,包括步驟:
S1提供襯底基板;
S2將導熱構件設置于所述襯底基板上,所述導熱構件包括多個主導熱部和多個次導熱部,所述次導熱部電連接所述主導熱部和溫控源,所述溫控源控制所述主導熱部和所述次導熱部的溫度,所述溫控源為加熱源或冷卻源;
S3在所述導熱構件的上方設置一層絕緣的平緩部;
S4將像素界定層設置于所述導熱構件上方,所述像素界定層包括多個像素隔離結構,所述像素隔離結構之間形成多個相互隔離的子像素區域,各所述子像素區域具有坑底,所述主導熱部在所述襯底基板的正投影位于所述子像素區域的內周,所述次導熱部在所述襯底基板的正投影位于所述子像素區域的外周,所述主導熱部在所述子像素區域的投影面積大于所述次導熱部在所述子像素區域的投影面積。
10.根據權利要求9所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,包括步驟:
(1)在所述襯底基板上,通過物理氣相層積法以900~1300℃的蒸發溫度,速率為0.5~4a/s制備一層400nm~1μm的均勻金屬鋁薄膜;
(2)通過正性光刻膠形成含有所述主導熱部和所述次導熱部的圖案;
(3)通過刻蝕將暴露的金屬鋁去除,形成所述主導熱部和所述次導熱部;
(4)通過增強化學氣相層積法將氮化硅或二氧化硅層積于所述主導熱部和所述次導熱部上,反應溫度降至250~400℃,形成平緩部;
(5)拋光所述平緩部的上表面,形成的所述平緩部薄膜厚度不少于400nm;
(6)在所述平緩部上制作所述顯示基板的電極和所述像素界定層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于納晶科技股份有限公司,未經納晶科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010115403.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種雙肢厚型角鋼及其設計方法
- 下一篇:一種單通道模擬信號采樣方法及裝置





