[發(fā)明專利]磁性存儲裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010115206.4
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN112490355A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 都甲大;大坊忠臣;伊藤順一;五十嵐太一;甲斐正
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

實(shí)施方式提供一種能提高特性的磁性存儲裝置。實(shí)施方式的磁性存儲裝置具備第1積層體、及所述第1積層體的上方的第2積層體。所述第1積層體及所述第2積層體分別包含：第1鐵磁性體層，具有朝向第1方向的磁化；第1導(dǎo)電體層，位于所述第1鐵磁性體層的上方，為非磁性；第2鐵磁性體層，設(shè)置在所述第1導(dǎo)電體層的上方，具有朝向與所述第1方向不同的第2方向的磁化；第1絕緣體層，與所述第2鐵磁性體層的上表面相接；及第3鐵磁性體層，位于所述第1絕緣體層的上方。所述第2積層體的所述第2鐵磁性體層厚于所述第1積層體的所述第2鐵磁性體層。

[相關(guān)申請案]

本申請案享有以日本專利申請案2019-166294號(申請日：2019年9月12日)為基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參考該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

概略來說，實(shí)施方式涉及一種磁性存儲裝置。

背景技術(shù)

已知有能利用磁阻效應(yīng)存儲數(shù)據(jù)的磁性存儲裝置。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供一種能提高特性的磁性存儲裝置。

實(shí)施方式的磁性存儲裝置具備第1積層體、及所述第1積層體的上方的第2積層體。所述第1積層體及所述第2積層體分別包含：第1鐵磁性體層，具有朝向第1方向的磁化；第1導(dǎo)電體層，位于所述第1鐵磁性體層的上方，為非磁性；第2鐵磁性體層，設(shè)置在所述第1導(dǎo)電體層的上方，具有朝向與所述第1方向不同的第2方向的磁化；第1絕緣體層，與所述第2鐵磁性體層的上表面相接；及第3鐵磁性體層，位于所述第1絕緣體層的上方。所述第2積層體的所述第2鐵磁性體層厚于所述第1積層體的所述第2鐵磁性體層。

附圖說明

圖1表示第1實(shí)施方式的存儲裝置的功能模塊。

圖2是第1實(shí)施方式的存儲單元陣列的電路圖。

圖3表示第1實(shí)施方式的存儲單元陣列的一部分的截面的構(gòu)造。

圖4表示第1實(shí)施方式的存儲單元的詳細(xì)構(gòu)造的例子。

圖5表示第1實(shí)施方式的磁阻效應(yīng)元件的詳細(xì)構(gòu)造的例子。

圖6表示第1實(shí)施方式的多個(gè)存儲單元的層各自的電阻變化元件的構(gòu)造的例子。

圖7表示第2實(shí)施方式的多個(gè)存儲單元的層各自的電阻變化元件的構(gòu)造的例子。

圖8表示銥的厚度與交換耦合的強(qiáng)度的關(guān)系。

圖9表示第2實(shí)施方式的變化例的多個(gè)存儲單元的層各自的電阻變化元件的構(gòu)造的例子。

具體實(shí)施方式

以下參照附圖說明實(shí)施方式。在以下說明中，具有大致相同的功能及構(gòu)成的構(gòu)成要素被標(biāo)注了相同的符號，從而有時(shí)會省略重復(fù)的說明。附圖是示意性的，厚度與平面尺寸的關(guān)系、各層厚度的比例等有可能與實(shí)際情況不同。另外，各附圖之間也有可能包含彼此的尺寸關(guān)系或比例不同的部分。另外，關(guān)于某實(shí)施方式的說明除非明確指出或不言而喻要排除在外，否則全部適用于其他實(shí)施方式的說明。

在本說明書及權(quán)利要求書中，所謂某第1要素“連接”于其他第2要素，包括第1要素直接或者經(jīng)由始終或選擇性地具有導(dǎo)電的要素連接于第2要素的情況。

以下，使用xyz正交坐標(biāo)系統(tǒng)說明實(shí)施方式。在以下說明中，所謂“下”及其派生詞、關(guān)聯(lián)詞表示z軸上較小坐標(biāo)的位置，所謂“上”及其派生詞、關(guān)聯(lián)詞表示z軸上較大坐標(biāo)的位置。

＜1.第1實(shí)施方式＞

＜1.1.磁性存儲裝置整體的構(gòu)成及構(gòu)造＞

圖1表示第1實(shí)施方式的磁性存儲裝置的功能模塊。如圖1所示，磁性存儲裝置1包含存儲單元陣列11、輸入輸出電路12、控制電路13、行選擇電路14、列選擇電路15、寫入電路16及讀出電路17。