[發明專利]磁性存儲裝置在審
| 申請號： | 202010115206.4 | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN112490355A | 公開（公告）日： | 2021-03-12 |
| 發明（設計）人： | 都甲大;大坊忠臣;伊藤順一;五十嵐太一;甲斐正 | 申請（專利權）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 張世俊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁性 存儲 裝置 | ||
1.一種磁性存儲裝置，其特征在于具備第1積層體、及所述第1積層體的上方的第2積層體，
所述第1積層體及所述第2積層體分別包含：
第1鐵磁性體層，具有朝向第1方向的磁化；
第1導電體層，位于所述第1鐵磁性體層的上方，為非磁性；
第2鐵磁性體層，設置在所述第1導電體層的上方，具有朝向與所述第1方向不同的第2方向的磁化；
第1絕緣體層，與所述第2鐵磁性體層的上表面相接；及
第3鐵磁性體層，位于所述第1絕緣體層的上方；且
所述第2積層體的所述第2鐵磁性體層厚于所述第1積層體的所述第2鐵磁性體層。
2.根據權利要求1所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第2鐵磁性體層具有：
第4鐵磁性體層，配置在所述第1絕緣體層與所述第1導電體層之間，與所述第1絕緣體層相接；及
第5鐵磁性體層，配置在所述第4鐵磁性體層與所述第1導電體層之間，結晶構造與所述第4鐵磁性體層不同。
3.根據權利要求2所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第1積層體的所述第4鐵磁性體層、及所述第2積層體的所述第4鐵磁性體層分別具有0.8nm以上1.4nm以下的厚度。
4.一種磁性存儲裝置，其特征在于具備第1積層體至第n積層體，其中n為2以上的自然數，
X為2至n的自然數，第X積層體位于第X－1積層體的上方，
所述第1積層體至所述第n積層體分別包含：
第1鐵磁性體層，具有朝向第1方向的磁化；
第1導電體層，位于所述第1鐵磁性體層的上方，為非磁性；
第2鐵磁性體層，設置在所述第1導電體層的上方，具有朝向與所述第1方向不同的第2方向的磁化；
第1絕緣體層，與所述第2鐵磁性體層的上表面相接；及
第3鐵磁性體層，位于所述第1絕緣體層的上方；且
所述第X積層體的所述第2鐵磁性體層厚于所述第X－1積層體的所述第2鐵磁性體層。
5.根據權利要求4所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第2鐵磁性體層具有：
第4鐵磁性體層，配置在所述第1絕緣體層與所述第1導電體層之間，與所述第1絕緣體層相接；及
第5鐵磁性體層，配置在所述第4鐵磁性體層與所述第1導電體層之間，結晶構造與所述第4鐵磁性體層不同。
6.根據權利要求5所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第1積層體至所述第n積層體各自的所述第4鐵磁性體層具有0.8nm以上1.4nm以下的厚度。
7.根據權利要求2或5所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第4鐵磁性體層的膜厚薄于所述第5鐵磁性體層的膜厚。
8.一種磁性存儲裝置，其特征在于具備第1積層體、及所述第1積層體的上方的第2積層體，
所述第1積層體及所述第2積層體分別包含：
第1鐵磁性體層，具有朝向第1方向的磁化；
第1導電體層，位于所述第1鐵磁性體層的上方，為非磁性；
第2鐵磁性體層，設置在所述第1導電體層的上方，具有朝向與所述第1方向不同的第2方向的磁化；
第1絕緣體層，與所述第2鐵磁性體層的上表面相接；及
第3鐵磁性體層，位于所述第1絕緣體層的上方；且
所述第2積層體的所述第1導電體層具有與所述第1積層體的所述第1導電體層的厚度不同的厚度。
9.根據權利要求8所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第2鐵磁性體層具有：
第4鐵磁性體層，配置在所述第1絕緣體層與所述第1導電體層之間，與所述第1絕緣體層相接；及
第5鐵磁性體層，配置在所述第4鐵磁性體層與所述第1導電體層之間，結晶構造與所述第4鐵磁性體層不同。
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