[發明專利]用于模塊化半導體裝置的基于無機物的嵌入式管芯層

在審

• 申請號: 202010115177.1
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111739860A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: S.V.皮坦巴拉姆;T.伊布拉希姆;K.達馬維卡塔;R.N.曼帕利;D.馬利克;R.L.桑克曼
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498;H01L25/18;H01L21/98
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 付曼;劉春元

1.一種模塊化半導體裝置，包括：

玻璃襯底中的至少部分嵌入式多管芯互連橋（EMIB），其中所述玻璃襯底包括管芯側和焊接區側；

多個貫穿玻璃通孔（TGV），所述多個貫穿玻璃通孔（TGV）從所述管芯側連通到所述焊接區側；

耦合到所述EMIB和耦合到至少一個TGV的第一半導體裝置，其中所述第一半導體裝置包括耦合到所述至少一個TGV的襯底接合襯墊以及耦合到所述EMIB的EMIB接合襯墊；以及

耦合到所述EMIB和耦合到至少一個TGV的后續半導體裝置，其中所述后續半導體裝置包括耦合到所述至少一個TGV的襯底接合襯墊以及耦合到所述EMIB的EMIB接合襯墊。

2.如權利要求1所述的模塊化半導體裝置，還包括：

耦合到所述第一半導體裝置的至少一個第一小芯片，其中所述至少一個第一小芯片在有源表面處的所述第一半導體裝置上。

3. 如權利要求1所述的模塊化半導體裝置，還包括：

耦合到所述第一半導體裝置的至少一個第一小芯片，其中所述至少一個第一小芯片在有源表面處的所述第一半導體裝置上；以及

耦合到所述第一半導體裝置的至少一個后續小芯片，其中所述至少一個后續小芯片在所述有源表面處的所述第一半導體裝置上。

4.如權利要求1所述的模塊化半導體裝置，還包括：

耦合到所述第一半導體裝置的至少一個第一小芯片，其中所述至少一個第一小芯片在有源表面處的所述第一半導體裝置上；

耦合到所述第一半導體裝置的至少一個后續小芯片，其中所述至少一個后續小芯片在所述有源表面處的所述第一半導體裝置上；以及

在所述第一半導體裝置有源表面上的至少一個散熱片。

5. 如權利要求1、2、3或4所述的模塊化半導體裝置，還包括：

耦合到所述后續半導體裝置的至少一個第一小芯片，其中所述至少一個第一小芯片在有源表面處的所述后續半導體裝置上；以及

耦合到所述后續半導體裝置的至少一個后續小芯片，其中所述至少一個后續小芯片在所述有源表面處的所述后續半導體裝置上。

6.如權利要求1、2、3或4所述的模塊化半導體裝置，還包括：

耦合到所述后續半導體裝置的至少一個第一小芯片，其中所述至少一個第一小芯片在有源表面處的所述后續半導體裝置上；

耦合到所述后續半導體裝置的至少一個后續小芯片，其中所述至少一個后續小芯片在所述有源表面處的所述后續半導體裝置上；

在所述后續半導體裝置有源表面上的至少一個散熱片。

7. 如權利要求1所述的模塊化半導體裝置，還包括：

耦合到所述第一半導體裝置的至少一個第一小芯片，其中所述至少一個第一小芯片在有源表面處的所述第一半導體裝置上；以及

耦合到所述后續半導體裝置的至少一個后續小芯片，其中所述至少一個后續小芯片在有源表面處的所述后續半導體裝置上。

8.如權利要求1、2、3或4所述的模塊化半導體裝置，其中第一半導體裝置襯底接合襯墊接觸焊料膜，所述焊料膜接觸管芯級通孔，所述焊料膜接觸第二級通孔，并且所述焊料膜接觸所述至少一個TGV中的一個。

9.如權利要求1、2、3或4所述的模塊化半導體裝置，其中所述玻璃襯底具有Z高度，并且其中所述EMIB具有在所述玻璃襯底Z高度的百分之96內的Z高度。

10.如權利要求1、2、3或4所述的模塊化半導體裝置，其中所述EMIB嵌入在所述玻璃襯底中的貫穿孔中。

11.如權利要求1、2、3或4所述的模塊化半導體裝置，其中所述EMIB嵌入在所述玻璃襯底中的凹陷中。

12.如權利要求1、2、3或4所述的模塊化半導體裝置，還包括接合到所述至少一個TGV的半導體封裝襯底。