[發明專利]用于模塊化半導體裝置的基于無機物的嵌入式管芯層在審
| 申請號： | 202010115177.1 | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN111739860A | 公開（公告）日： | 2020-10-02 |
| 發明（設計）人： | S.V.皮坦巴拉姆;T.伊布拉希姆;K.達馬維卡塔;R.N.曼帕利;D.馬利克;R.L.桑克曼 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/498;H01L25/18;H01L21/98 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 付曼;劉春元 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 模塊化 半導體 裝置 基于 無機物 嵌入式 管芯 | ||
玻璃襯底容納嵌入式多管芯互連橋，所述嵌入式多管芯互連橋是半導體裝置封裝的一部分。貫穿玻璃通孔連通到表面以便在安裝半導體封裝襯底上。
技術領域
本公開涉及用于封裝的半導體設備的在無機層之間安置（seat）的嵌入式多芯片互連橋。
背景技術
在管芯平鋪封裝期間的半導體裝置小型化包括在組裝期間管理凸起（bump）厚度變化的挑戰。
附圖說明
在附圖的圖中，通過示例而非通過限制圖示了所公開的實施例，其中同樣的參考標號可以指代相似的元件，其中：
圖1是根據實施例的模塊化半導體裝置的橫截面正視圖；
圖1A是根據實施例在組裝期間圖1中描繪的半導體裝置封裝的橫截面正視圖；
圖1B是根據實施例在進一步處理之后圖1A中描繪的玻璃襯底的橫截面正視圖；
圖1C是根據實施例在進一步處理之后圖1B中描繪的玻璃襯底的橫截面正視圖；
圖1D是根據實施例在進一步處理之后圖1C中描繪的玻璃襯底的橫截面正視圖；
圖1E是根據實施例在進一步處理圖1D中描繪的玻璃襯底之后的半導體裝置封裝的橫截面正視圖；
圖1F是根據實施例在進一步處理之后圖1E中描繪的半導體裝置封裝的橫截面正視圖；
圖1G是根據實施例在進一步處理之后圖1F中描繪的半導體裝置封裝的橫截面正視圖；
圖1H是根據若干實施例在進一步處理之后圖1中描繪的模塊化管芯的橫截面正視圖；
圖2是根據實施例的模塊化半導體裝置的橫截面正視圖；
圖2A是根據實施例的在組裝期間圖2中描繪的模塊化管芯封裝的橫截面正視圖；
圖2B是根據實施例在進一步處理之后圖2A中描繪的玻璃襯底的橫截面正視圖；
圖2C是根據實施例在進一步處理之后圖2B中描繪的玻璃襯底的橫截面正視圖；
圖2D是根據實施例在進一步處理之后圖2C中描繪的玻璃襯底的橫截面正視圖；
圖2E是根據實施例在進一步處理圖2D中描繪的玻璃襯底之后的半導體裝置封裝的橫截面正視圖；
圖2F是根據實施例在進一步處理之后圖2E中描繪的半導體裝置封裝的橫截面正視圖；
圖2G是根據實施例在進一步處理之后圖2F中描繪的半導體裝置封裝的橫截面正視圖；
圖2H是根據若干實施例在進一步處理之后圖2中描繪的模塊化管芯的橫截面正視圖；
圖3是根據實施例在圖1中描繪的模塊化管芯的俯視圖；
圖4是根據實施例在玻璃410的處理期間半導體裝置封裝的橫截面正視圖；
圖5是根據若干實施例的工藝流程圖；
圖6被包括以示出用于所公開的實施例的更高級裝置應用的示例。
具體實施方式
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