[發明專利]陶瓷電子器件、安裝基板、包裝體以及制造方法

有效

• 申請號: 202010114900.4
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111613441B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 今井敦史
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/30;H01G13/00;H05K1/18
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種陶瓷電子器件，包括：

層疊芯片，具有層疊結構和覆蓋層，所述層疊結構具有其中多個電介質層的每一個和多個內部電極層的每一個交替地層疊的結構，所述電介質層的主要成分是陶瓷，所述層疊結構具有長方體形狀，所述多個內部電極層交替地露出于所述層疊結構的第一端面和第二端面，所述第一端面與所述第二端面相對，所述覆蓋層設置在所述層疊結構在所述層疊結構的層疊方向上的上表面和下表面上，所述覆蓋層的主要成分是陶瓷，

第一外部電極，設置在所述第一端面上；和

第二外部電極，設置在所述第二端面上，

其中，在所述層疊結構的兩個側面中，第一區域的顏色與在層疊方向上和所述第一區域不同的第二區域的顏色不同。

2.根據權利要求1所述的陶瓷電子器件，

其中，所述層疊結構在層疊方向上的不同區域中包括高電容區域和低電容區域，

其中，所述第一區域是所述高電容區域的側面，

其中，所述第二區域是所述低電容區域的側面。

3.根據權利要求2所述的陶瓷電子器件，其中，所述低電容區域中的電介質層比所述高電容區域中的電介質層更厚。

4.根據權利要求3所述的陶瓷電子器件，其中，所述低電容區域中的電介質層的厚度是所述高電容區域中的電介質層的厚度的三倍以上。

5.根據權利要求2至4中任一項所述的陶瓷電子器件，其中，所述高電容區域的電介質層中的燒結助劑的濃度大于所述低電容區域的電介質層中的燒結助劑的濃度。

6.根據權利要求5所述的陶瓷電子器件，

其中，所述燒結助劑包括硅，

其中，所述高電容區域的Si濃度是所述低電容區域的Si濃度的1.5倍以上，并且是所述低電容區域的Si濃度的10倍以下。

7.根據權利要求2至6中任一項所述的陶瓷電子器件，其中，所述高電容區域的電介質層中的稀土元素的濃度小于所述低電容區域的電介質層中的稀土元素的濃度。

8.根據權利要求2至7中任一項所述的陶瓷電子器件，其中，在所述低電容區域中充當施主的元素的濃度小于在所述高電容區域中充當施主的元素的濃度。

9.一種安裝基板，包括：

根據權利要求1至8中任一項所述且安裝在所述安裝基板上的陶瓷電子器件，

其中，所述第二區域比所述第一區域更靠近所述安裝基板。

10.一種包裝體，包括：

根據權利要求1至8中任一項所述的陶瓷電子器件；和

載帶，具有分別收容所述陶瓷電子器件的收容部，

其中，以使所述第二區域偏倚在所述收容部一側的方式，將所述陶瓷電子器件分別收容在所述收容部中。

11.一種陶瓷電子器件的制造方法，包括以下步驟：

形成其中多個生片的每一個和金屬導電膏圖案的每一個交替地層疊的陶瓷層疊體，所述生片包括陶瓷粉末，所述多個金屬導電膏圖案交替地露出于所述陶瓷層疊體的第一端面和第二端面；和

燒制所述陶瓷層疊體，

其中，所述陶瓷層疊體包括第一層疊體和第二層疊體，其中所述第一層疊體的生片比所述第二層疊體的生片更薄，

其中，所述第一層疊體的生片中的陶瓷粉末的密度大于所述第二層疊體的生片中的陶瓷粉末的密度。

12.一種陶瓷電子器件的制造方法，包括以下步驟：

形成其中多個生片的每一個和金屬導電膏圖案的每一個交替地層疊的陶瓷層疊體，所述生片包括陶瓷粉末，所述多個金屬導電膏圖案交替地露出于所述陶瓷層疊體的第一端面和第二端面；和

燒制所述陶瓷層疊體，

其中，所述陶瓷層疊體包括第一層疊體和第二層疊體，其中所述第一層疊體的生片比所述第二層疊體的生片更薄，

其中，所述第一層疊體的生片中的燒結助劑的濃度大于所述第二層疊體的生片中的燒結助劑的濃度。