[發明專利]半導體元件表面增加粗糙度的方法

在審

• 申請號: 202010114811.X
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN113380617A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 劉曉明
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明涉及半導體技術領域，公開了一種半導體元件表面增加粗糙度的方法，包括：在半導體元件的不需要蝕刻的表面設置一層保護膜，并使所述半導體元件的需要蝕刻的表面裸露設置；將所述半導體元件放入處理腔室中，并對所述處理腔室進行抽真空以使所述處理腔室內的壓強達到預設壓強值；將用于半導體元件蝕刻的混合氣體離子化而形成離子束，并導入到所述所述處理腔室中對所述半導體元件進行蝕刻；其中，所述混合氣體包括：惰性氣體和碳氫化合物氣體。本發明能夠在半導體的需要增加粗糙度的表面較快速且較好地形成需要達到的粗糙度，且不會傷害半導體其他不需要增加粗糙度的部分的表面。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種半導體元件表面增加粗糙度的方法。

背景技術

在微電子學中，某些操作，需要半導體元件的表面盡可能的光滑，但是某些半導體元件則需要制造出彼此相對粗糙且不互相粘合的表面，從而防止該半導體元件在所對應的物體表面上不適當的結合并且能夠保持其滑動性。

傳統在半導體元件表面上形成粗糙面的方法通常是：用離子化的處理氣體(氬氣、氧氣)以離子轟擊半導體元件表面。在蝕刻過程中離子束與半導體表面材料幾乎不發生化學反應，而是一種動量轉移(momentum transfer)。這種傳統的蝕刻手段雖然可以在半導體表面形成粗糙面，但是會使得半導體其它不需要進行蝕刻的部分遭到損害，而且形成的粗糙度很難達到需要的粗糙度。

發明內容

本發明實施例的目的是提供一種半導體元件表面增加粗糙度的方法，其能夠在半導體的需要增加粗糙度的表面較快速且較好地形成需要達到的粗糙度，且不會傷害半導體其他不需要增加粗糙度的部分的表面。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種半導體元件表面增加粗糙度的方法，包括：

在半導體元件的不需要蝕刻的表面設置一層保護膜，并使所述半導體元件的需要蝕刻的表面裸露設置；

將所述半導體元件放入處理腔室中，并對所述處理腔室進行抽真空以使所述處理腔室內的壓強達到預設壓強值；

將用于半導體元件蝕刻的混合氣體離子化而形成離子束，并導入到所述所述處理腔室中對所述半導體元件進行蝕刻；其中，所述混合氣體包括：惰性氣體和碳氫化合物氣體。

作為優選方案，所述保護膜為光刻膠膜，所述光刻膠膜的厚度為15μm。

作為優選方案，所述混合氣體還包括：用于減緩蝕刻速度以避免形成過度蝕刻的稀釋氣體。

作為優選方案，導入到所述處理腔室中的所述離子束的流速為45sccm，所述離子束的能量為350eV，所述離子束的電流為450mA，所述離子束的入射角為45度，所述離子束的蝕刻時間為120秒。

作為優選方案，所述惰性氣體為氬氣，所述碳氫化合物氣體為乙烯。

作為優選方案，所述碳氫化合物氣體在所述混合氣體中的含量為15％。

相比于現有技術，本發明實施例提供的所述半導體元件表面增加粗糙度的方法，通過在半導體元件的不需要蝕刻的表面設置一層保護膜，并使所述半導體元件的需要蝕刻的表面裸露設置；接著，將所述半導體元件放入處理腔室中，并對所述處理腔室進行抽真空以使所述處理腔室內的壓強達到預設壓強值；最后，將用于半導體元件蝕刻的混合氣體離子化而形成離子束，并導入到所述所述處理腔室中對所述半導體元件進行蝕刻；所述混合氣體包括：惰性氣體和碳氫化合物氣體。這樣，能夠在半導體的需要增加粗糙度的表面較快速且較好地形成需要達到的粗糙度，且不會傷害半導體其他不需要增加粗糙度的部分的表面。

附圖說明

圖1是本發明一實施例提供的一種半導體元件表面增加粗糙度的方法的流程圖。

具體實施方式