[發明專利]半導體元件表面增加粗糙度的方法在審
| 申請號： | 202010114811.X | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN113380617A | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發明（設計）人： | 劉曉明 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 表面 增加 粗糙 方法 | ||
1.一種半導體元件表面增加粗糙度的方法，其特征在于，包括：
在半導體元件的不需要蝕刻的表面設置一層保護膜，并使所述半導體元件的需要蝕刻的表面裸露設置；
將所述半導體元件放入處理腔室中，并對所述處理腔室進行抽真空以使所述處理腔室內的壓強達到預設壓強值；
將用于半導體元件蝕刻的混合氣體離子化而形成離子束，并導入到所述所述處理腔室中對所述半導體元件進行蝕刻；其中，所述混合氣體包括：惰性氣體和碳氫化合物氣體。
2.如權利要求1所述的半導體元件表面增加粗糙度的方法，其特征在于，所述保護膜為光刻膠膜，所述光刻膠膜的厚度為15μm。
3.如權利要求1所述的半導體元件表面增加粗糙度的方法，其特征在于，所述混合氣體還包括：用于減緩蝕刻速度以避免形成過度蝕刻的稀釋氣體。
4.如權利要求1所述的半導體元件表面增加粗糙度的方法，其特征在于，導入到所述處理腔室中的所述離子束的流速為45sccm，所述離子束的能量為350eV，所述離子束的電流為450mA，所述離子束的入射角為45度，所述離子束的蝕刻時間為120秒。
5.如權利要求1所述的半導體元件表面增加粗糙度的方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣，所述碳氫化合物氣體為乙烯。
6.如權利要求1-5任一項所述的半導體元件表面增加粗糙度的方法，其特征在于，所述碳氫化合物氣體在所述混合氣體中的含量為15％。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
