[發明專利]成膜裝置、成膜方法以及電子器件制造方法

有效

• 申請號: 202010114404.9
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111621762B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 佐藤昌明
• 申請（專利權）人: 佳能特機株式會社
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L21/68;H10K71/00
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉楊

1.一種成膜裝置，其特征在于，

該成膜裝置包括：

容器；

基板保持單元，設置在所述容器內，保持基板；

第1蒸發源及第2蒸發源，設置在所述容器內，分別包括收納有在基板上進行成膜的成膜材料的多個坩堝；

旋轉驅動機構，使所述第1蒸發源的多個坩堝移動到包括使成膜材料在保持于所述基板保持單元的基板上成膜的蒸鍍位置和預先加熱成膜材料的預熱位置在內的多個位置，使所述第2蒸發源的多個坩堝移動到包括使成膜材料在所述基板上成膜的蒸鍍位置和預先加熱成膜材料的預熱位置在內的多個位置，

第1成膜速率測量部，測量從所述第1蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝蒸發的成膜材料的速率；

第2成膜速率測量部，測量從所述第1蒸發源的位于所述預熱位置的坩堝蒸發的成膜材料的速率；

第3成膜速率測量部，測量從所述第2蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝蒸發的成膜材料的速率；以及

第4成膜速率測量部，測量從所述第2蒸發源的位于所述預熱位置的坩堝蒸發的成膜材料的速率，

所述第1蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝與所述第1成膜速率測量部之間的路徑同所述第2蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝與所述第3成膜速率測量部之間的路徑被設置成交叉，且

所述第1蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝與所述第1成膜速率測量部之間的第1距離大于所述第1蒸發源的位于所述預熱位置的坩堝與所述第2成膜速率測量部之間的第2距離。

2.根據權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

所述第1蒸發源的位于所述預熱位置的坩堝在所述第1蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝用于成膜的期間的至少一部分的期間中被預熱，所述第2蒸發源的位于所述預熱位置的坩堝在所述第2蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝用于成膜的期間的至少一部分的期間中被預熱。

3.根據權利要求2所述的成膜裝置，其特征在于，

所述旋轉驅動機構通過使所述第1蒸發源旋轉，使所述第1蒸發源的所述多個坩堝移動到包括所述蒸鍍位置和所述預熱位置在內的多個位置，通過使所述第2蒸發源旋轉，使所述第2蒸發源的所述多個坩堝移動到包括所述蒸鍍位置和所述預熱位置在內的多個位置。

4.根據權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

該成膜裝置還包括罩部件，該罩部件防止從所述第1蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝以外的坩堝蒸發的成膜材料到達所述基板，

所述罩部件包括設置在與所述第1蒸發源的所述蒸鍍位置的坩堝對應的位置的第1開口部、和設置在從所述第1蒸發源的所述預熱位置的坩堝朝向所述第2成膜速率測量部的路徑上的第2開口部。

5.根據權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

該成膜裝置還包括第1可動式開閉部件，該第1可動式開閉部件設置在所述第1蒸發源與所述基板之間，能夠在覆蓋所述第1蒸發源的所述蒸鍍位置的第1關閉位置與開放所述第1蒸發源的所述蒸鍍位置的第1開放位置之間移動，

位于所述第1開放位置的所述第1可動式開閉部件與所述第1蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝之間的距離大于位于所述第1關閉位置的所述第1可動式開閉部件與所述第1蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝之間的距離。

6.根據權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

所述第1距離大于所述第1蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝與所述第3成膜速率測量部之間的第3距離。

7.根據權利要求6所述的成膜裝置，其特征在于，

所述第2距離小于所述第3距離。

8.根據權利要求7所述的成膜裝置，其特征在于，

所述第1距離小于所述第1蒸發源的位于所述蒸鍍位置的坩堝與所述第4成膜速率測量部之間的第4距離。