[發明專利]一種耐沖擊晶片電阻器及其制作方法在審
| 申請號: | 202010113307.8 | 申請日: | 2020-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN111192733A | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 陳智高;蔡東謀;簡高柏 | 申請(專利權)人: | 國巨電子(中國)有限公司 |
| 主分類號: | H01C17/00 | 分類號: | H01C17/00;H01C17/22;H01C17/28;H01C7/00 |
| 代理公司: | 蘇州簡理知識產權代理有限公司 32371 | 代理人: | 楊瑞玲;朱亦倩 |
| 地址: | 215011 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 沖擊 晶片 電阻器 及其 制作方法 | ||
1.一種耐沖擊晶片電阻器的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1:燒結一片試驗電阻器,將所述試驗電阻器劃分為九個區域,用阻值測量儀分別測量每個區域的阻值,獲得九個阻值,根據該九個阻值得到電阻器阻值與電極跨距的數值關系;
S2:根據步驟S1得到的數值關系,計算目標電阻所需的電極跨距,得到電極跨距L;
S3:根據步驟S2獲得的電極跨距L,制作獲得對應的印刷網版;
S4:使用步驟S3獲得的印刷網版在基板上印刷電極(3),將電阻層(1)貼敷在所述電極(3)上,獲得初步成型的電阻器;
S5:將保護層涂覆在所述初步成型的電阻器的外表面,獲得成型的晶片電阻器。
2.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,對于步驟S1,所述試驗電阻器包括基板(2)、電極(3)和電阻層(1),
所述基板(2)具有上表面(21),該上表面(21)為長方形,所述電極(3)貼覆在該上表面(21)上,所述電極包括第一電極(31)和第二電極(32),所述第一電極(31)和第二電極(32)分別沿所述上表面(21)的長邊方向分布;
所述電阻層(1)為片狀長條,該片狀長條沿其長邊方向的兩端分別搭接在所述第一電極(31)和第二電極(32)上。
3.根據權利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述第一電極(31)和第二電極(32)相對設置,且第一電極(31)和第二電極(32)之間具有間隙,
所述第一電極(31)和第二電極(32)分別靠近所述上表面(21)的短邊;
所述電阻層(1)覆蓋在所述第一電極(31)、間隙和第二電極(32)的上方。
4.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,對于步驟S1,所述試驗電阻器被劃分為九宮格,根據電阻阻值與電阻長度成正比的原理計算電阻器阻值與電極跨距的數值關系;
所述電極跨距是所述第一電極(31)與第二電極(32)之間的間隙的長度。
5.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,對于步驟S3,若將電極跨距自L減小或增大至L1,則第一電極(31)和第二電極(32)分別增大或減小|L-L1|/2。
6.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,對于步驟S4,所述印刷網版上具有電極模塊,所述電極模塊上涂覆有電極材料,所述印刷網版將電極材料拓印在所述基板上形成電極(3)。
7.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,對于步驟S4,所述初步成型的電阻器包括一層電阻層(1)。
8.根據權利要求1-7任一所述的制作方法制得的一種耐沖擊晶片電阻器,其特征在于,包括基板(2)和設置在所述基板(2)上的電阻層(1),
所述基板(2)具有上表面(21),該上表面(21)上具有第一電極(31)和第二電極(32),所述第一電極(31)和第二電極(32)均與所述電阻層(1)搭接;
所述基板(2)為片狀長條,所述第一電極(31)和第二電極(32)均為導電片,所述第一電極(31)和第二電極(32)對稱設置在所述基板(2)的上表面(21),且所述第一電極(31)和第二電極(32)均以所述基板(2)上表面(21)的長邊方向的中心線為軸。
9.根據權利要求8所述的晶片電阻器,其特征在于,所述第一電極(31)和第二電極(32)相對設置,且第一電極(31)和第二電極(32)之間具有間隙,所述電阻層(1)橫跨間隙上方并貼覆在所述第一電極(31)和第二電極(32)上;
所述第一電極(31)和第二電極(32)對稱連接于所述電阻層(1)的相對短邊處。
10.根據權利要求8所述的晶片電阻器,其特征在于,所述電阻層(1)的長邊長度小于所述基板(2)的長邊長度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于國巨電子(中國)有限公司,未經國巨電子(中國)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010113307.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





