[發明專利]電子裝置在審
| 申請號: | 202010112777.2 | 申請日: | 2020-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN113299664A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 徐怡華;高克毅;曾名駿;廖宏昇 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 孫靜;劉芳 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 | ||
本揭露提供一種電子裝置,包括基板以及多條導線。基板包括第一非彎折區及彎折區。多條導線從第一非彎折區延伸至彎折區。至少部分多條導線在彎折區中分支成次導線,且至少部分多條導線中的每一條具有兩條次導線,且兩條次導線間以不小于1mm的距離彼此分隔。
技術領域
本揭露涉及一種電子裝置。
背景技術
電子產品已成為現代社會不可或缺的必需品。隨著這類電子產品的蓬勃發展,消費者對這些產品的品質、功能或價格抱有很高的期望。
因此,電子產品需被改良,然而目前的電子產品仍存在一些問題需要解決。更詳細而言,電子裝置中存在彎折區,導線經過彎折制程可能導致斷線。
發明內容
本揭露提供一種電子裝置,可改善電子裝置彎折區導線斷線的情形。
根據本揭露的實施例,電子裝置包括基板以及多條導線。基板包括第一非彎折區及彎折區。多條導線從第一非彎折區延伸至彎折區。至少部分多條導線在彎折區中分支成次導線,且至少部分多條導線中的每一條具有兩條次導線,且兩條次導線間以不小于1mm的距離彼此分隔。
基于上述,在本揭露的實施例中,通過至少部分多條導線在彎折區中分支成次導線,且至少部分多條導線中的每一條具有以不小于1mm的距離彼此分隔的兩條次導線,以改善電子裝置彎折區導線斷線的情形。
為讓本揭露的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
包含附圖以便進一步理解本發明,且附圖并入本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖說明本發明的實施例,并與描述一起用于解釋本發明的原理。
圖1為本揭露一實施例的電子裝置的立體示意圖;
圖2為本揭露一實施例的電子裝置的俯視示意圖;
圖3至圖8為本揭露一些實施例的電子裝置的俯視示意圖。
附圖標號說明:
10、20、30、40、50、60:電子裝置;
12、14:基板;
16:驅動芯片;
100:第一非彎折區;
102:第二非彎折區;
200、200A:彎折區;
d:距離;
h:內凹寬度;
L110、L110’、L120、L130、L140、L150、L160、L410、L420、L430、L440:導線;
L112、L112’、L114、L114’、L122、L124、L132、L134、L142、L144、L152、L154、L162、L164、L412、L414、L422、L424、L432、L434、L442、L444:次導線;
L114-1、L114’-1、L124-1、L134-1、L144-1、L154-1、L164-1、L414-1、L424-1、L434-1、L444-1:第一部分;
L114-2、L114’-2、L124-2、L134-2、L144-2、L154-2、L164-2、L414-2、L424-2、L434-2、L444-2:第二部分;
L114-3、L124-3、L134-3、L144-3、L154-3、L164-3:第三部分;
PR:像素區;
p:像素間距;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





