[發明專利]電子裝置在審
| 申請號： | 202010112777.2 | 申請日： | 2020-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN113299664A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 徐怡華;高克毅;曾名駿;廖宏昇 | 申請（專利權）人： | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 孫靜;劉芳 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 裝置 | ||
1.一種電子裝置，其特征在于，包括：
基板，包括第一非彎折區及彎折區；以及
多條導線，從所述第一非彎折區延伸至所述彎折區，
其中至少部分的所述多條導線在所述彎折區中分支成次導線，且所述至少部分的所述多條導線中的每一條具有兩條次導線，且所述兩條次導線間以不小于1mm的距離彼此分隔。
2.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述兩條次導線間以不小于3mm的距離彼此分隔。
3.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述基板還包括第二非彎折區，所述彎折區位于所述第一非彎折區及所述第二非彎折區之間。
4.根據權利要求3所述的電子裝置，其特征在于，所述多條導線延伸至所述第二非彎折區。
5.根據權利要求4所述的電子裝置，其特征在于，所述至少部分的所述多條導線在所述第二非彎折區中延伸，且所述至少部分的所述多條導線中的每一條相應的所述次導線在所述第二非彎折區中收線。
6.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述至少部分的所述多條導線在所述彎折區中延伸，所述至少部分的所述多條導線中的一條與另一條的所述兩條次導線于所述彎折區中交錯配置。
7.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述至少部分的所述多條導線在所述彎折區中延伸，所述至少部分的所述多條導線中的一條的所述兩條次導線與另一條的所述兩條次導線于所述彎折區中交錯配置。
8.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述彎折區具有內凹。
9.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述至少部分的所述多條導線在所述第一非彎折區中分支成所述次導線，且所述至少部分的所述多條導線中的每一條具有所述兩條次導線，且所述兩條次導線間以不小于1mm的距離彼此分隔。
10.根據權利要求9所述的電子裝置，其特征在于，所述兩條次導線間以不小于3mm的距離彼此分隔。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
