[發(fā)明專利]一種氧化鋯粉體及其超細(xì)研磨方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010112534.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111285399A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅永義;梅國鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東莞市永篤納米科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C01G25/02 | 分類號(hào): | C01G25/02;B02C21/00;B02C17/10;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 東莞市永邦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44474 | 代理人: | 曾婉憶 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氧化鋯 及其 研磨 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種氧化鋯粉體及其超細(xì)研磨方法,包括如下重量份數(shù)的組分:100份氧化鋯粉體、120?240份去離子水、2?4份分散劑、4?6份表面活性劑、8?10份硅烷偶聯(lián)劑乙醇溶液;通過將上述原料混合后置于滾筒球磨機(jī)研磨后,再置于臥式砂磨機(jī)和納米砂磨機(jī)中在研磨介質(zhì)下循環(huán)研磨后得到氧化鋯粉體。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明通過優(yōu)選物料配制漿料并經(jīng)過滾筒球磨、臥式研磨和納米研磨后實(shí)現(xiàn)了氧化鋯粉體的超細(xì)納米研磨,通過砂磨機(jī)技術(shù)配合分散劑和分散工藝的優(yōu)化,可以實(shí)現(xiàn)共沉淀氧化鋯粉體的超細(xì)化,解決了納米氧化鋯粉體生產(chǎn)成本高以及難以實(shí)現(xiàn)超細(xì)研磨的缺陷,工藝簡單,具有廣闊的市場前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及無機(jī)材料技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種氧化鋯粉體及其超細(xì)研磨方法。
背景技術(shù)
氧化鋯具有熔點(diǎn)高、耐腐蝕、抗氧化、高溫蒸汽壓低、良好的粒子電導(dǎo)率等物理化學(xué)性質(zhì),在多個(gè)領(lǐng)域都有廣泛的使用。納米氧化鋯粉體具有燒結(jié)溫度低、制品強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn),但是生產(chǎn)成本高,隨著砂磨機(jī)技術(shù)的進(jìn)步配合分散工藝,如何研制出超細(xì)且尺寸穩(wěn)定的氧化鋯粉體成為研發(fā)難點(diǎn)。有鑒于此,確有必要開發(fā)一種可以實(shí)現(xiàn)共沉淀氧化鋯粉體的超細(xì)化、具有相純度高、顆粒細(xì)小、粒徑分布較窄等優(yōu)點(diǎn)的氧化鋯粉體及其超細(xì)研磨方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,提供一種氧化鋯粉體及其超細(xì)研磨方法,通過優(yōu)選物料配制漿料并經(jīng)過滾筒球磨、臥式研磨和納米研磨后實(shí)現(xiàn)了氧化鋯粉體的超細(xì)納米研磨。
本發(fā)明為達(dá)到上述目的所采用的技術(shù)方案是:
一種氧化鋯粉體,其包括如下重量份數(shù)的組分:100份氧化鋯粉體、120-240份去離子水、2-4份分散劑、4-6份表面活性劑、8-10份硅烷偶聯(lián)劑乙醇溶液。
優(yōu)選地,所述的硅烷偶聯(lián)劑乙醇溶液中硅烷偶聯(lián)劑KH560的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1-5wt%。
優(yōu)選地,所述的表面活性劑為十六烷基三甲基溴化銨和正丁醇中的至少一種。
優(yōu)選地,所述的分散劑為檸檬酸銨、聚丙烯酸銨、四甲基氫氧化銨和多聚磷酸銨中的至少一種。
優(yōu)選地,該氧化鋯粉體為似球形的ZrO2納米粉體,粉體粒徑分布在50-100nm范圍。
一種上述的氧化鋯粉體的超細(xì)研磨方法,其包括如下步驟:
S1:稱取原料,按權(quán)利要求1所的原料比例混合后得到氧化鋯粉體物料,置于滾筒球磨機(jī)中進(jìn)行第一次球磨,得到第一氧化鋯漿料;
S2:將第一氧化鋯漿料置于60L臥式砂磨機(jī)中在第一研磨介質(zhì)下進(jìn)行第二次研磨,循環(huán)研磨一定時(shí)間后,得到第二氧化鋯漿料;
S3:將第二氧化鋯漿料置于10L納米砂磨機(jī)中在第二研磨介質(zhì)下進(jìn)行第三次研磨,循環(huán)研磨一定時(shí)間后,得到氧化鋯粉體;
優(yōu)選地,所述的步驟S1中球磨5-8小時(shí),在常溫下進(jìn)行球磨;步驟S1中球磨后的第一氧化鋯漿料的測試粒度D50為0.5-2.5um。
優(yōu)選地,所述的步驟S2中第一研磨介質(zhì)為0.4-0.6mm的氧化鋯微珠;循環(huán)研磨時(shí)間為2-4小時(shí),在常溫下研磨;研磨后的第二氧化鋯漿料的測試粒度D50為0.3-0.5um。
優(yōu)選地,所述的步驟S3中第二研磨介質(zhì)為0.1-0.25mm的氧化鋯微珠;循環(huán)研磨時(shí)間為2-4小時(shí),在常溫下研磨;研磨后的氧化鋯粉體的測試粒度D50為50-100nm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東莞市永篤納米科技有限公司,未經(jīng)東莞市永篤納米科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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