[發明專利]載置臺及基板處理裝置

在審

• 申請號: 202010112504.8
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111613510A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 小巖真悟
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

提供一種用于對接合層進行保護的載置臺及基板處理裝置。該載置臺包括：基臺；基板載置部，設置在所述基臺的上表面上；環形部件載置部，設置在所述基臺的上表面上且設置在所述基板載置部的外側；第一接合層，將所述基臺與所述基板載置部接合；第二接合層，將所述基臺與所述環形部件載置部接合；環形部件，被放置在所述環形部件載置部上；以及密封部件，對所述第一接合層和所述第二接合層進行保護。

技術領域

本公開涉及一種載置臺及基板處理裝置。

背景技術

已知一種等離子體處理裝置，其在基臺與靜電卡盤之間具有用于將基臺與靜電卡盤接合的接合層。

專利文獻1公開了一種等離子體蝕刻裝置，其具有基臺、布置在基臺的載置面上而對處理對象進行載置的靜電卡盤、以及將基臺與靜電卡盤接合的接合層。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-53481號公報

發明內容

本發明要解決的問題

在一個方面，本公開提供一種用于對接合層進行保護的載置臺及基板處理裝置。

用于解決問題的方案

為了解決上述問題，根據一個實施方式，提供一種載置臺，包括：基臺；基板載置部，設置在所述基臺的上表面上；環形部件載置部，設置在所述基臺的上表面上且設置在所述基板載置部的外側；第一接合層，將所述基臺與所述基板載置部接合；第二接合層，將所述基臺與所述環形部件載置部接合；環形部件，被放置在所述環形部件載置部上；以及密封部件，對所述第一接合層和所述第二接合層進行保護。

發明效果

根據一個方面，能夠提供一種用于對接合層進行保護的載置臺及基板處理裝置。

附圖說明

圖1是示出根據第1實施方式的基板處理裝置的示例的剖視示意圖。

圖2是示出根據第1實施方式的基板處理裝置的支承臺的示例的局部放大剖視圖。

圖3是示出根據第2實施方式的基板處理裝置的支承臺的示例的局部放大剖視圖。

圖4是示出根據第3實施方式的基板處理裝置的支承臺的示例的局部放大剖視圖。

圖5是示出根據第4實施方式的基板處理裝置的支承臺的示例的局部放大剖視圖。

圖6是示出根據第5實施方式的基板處理裝置的支承臺的示例的局部放大剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本公開的實施方式中進行說明。在各附圖中，針對相同的構成部分賦予相同的符號，并且有時會省略重復的說明。

第1實施方式

使用圖1對根據第1實施方式的基板處理裝置1進行說明。圖1是示出根據第1實施方式的基板處理裝置1的示例的剖視示意圖。

基板處理裝置1包括腔室10。腔室10在其中提供內部空間10s。腔室10包括腔室主體12。腔室主體12具有大致圓筒形的形狀。腔室主體12例如由鋁形成。在腔室主體12的內壁面上，設置有具有耐腐蝕性的膜。該膜可以是氧化鋁、氧化釔等陶瓷。

在腔室主體12的側壁上形成有通路12p。基板W通過通路12p在內部空間10s與腔室10的外部之間被搬送。利用沿著腔室主體12的側壁設置的閘閥12g將通路12p打開或關閉。