[發明專利]納米銀線透明導電材料的圖形化方法以及感應器在審
| 申請號: | 202010112447.3 | 申請日: | 2020-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN113299686A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 程志政;孟鍇 | 申請(專利權)人: | 南昌歐菲顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京景聞知識產權代理有限公司 11742 | 代理人: | 賈玉姣 |
| 地址: | 330000 江*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 透明 導電 材料 圖形 方法 以及 感應器 | ||
本發明公開了一種納米銀線透明導電材料的圖形化方法以及感應器,納米銀線透明導電材料的圖形化方法包括:選取透明基材,透明基材的表面為極性表面;在透明基材的極性表面制作導電線路;在極性表面布置透明光阻;將透明光阻曝光顯影,制作成需要的圖形;將納米銀線墨水涂在極性表面,使其在非光阻的區域形成納米銀線圖形。由此,通過這種方法,可以消除激光鐳射法帶來的靜電釋放的風險,也可以避免化學腐蝕法導致的樹脂層阻礙蝕刻液蝕刻銀絲同時阻礙同金屬導線的接著問題,從而實現納米銀線的圖形化,可以提高產品良品率。
技術領域
本發明涉及顯示屏技術領域,尤其是涉及一種納米銀線透明導電材料的圖形化方法以及感應器。
背景技術
隨著柔性AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode-有源矩陣有機發光二極體或主動矩陣有機發光二極體)顯示技術的發展,柔性觸控也慢慢成為市場各廠家研究的熱點技術,其中納米銀線材料因其具有方阻低,光學透明度高且耐折疊性能優越,成為柔性觸控透明電極材料的最佳選擇之一。
目前關于納米銀線的圖形化方法主要有兩種:激光鐳射和化學蝕刻。激光鐳射采用高能激光束線加工納米銀線材料直接成形。該方法無需光罩,但是線加工效率低,且因制成品周邊存在未鐳射之納米銀線導電材料,產品存在抗ESD(Electro-Static discharge-靜電釋放)能力較弱的風險。化學蝕刻采用在納米銀絲材料表面形成一層曝光顯影后的光阻圖形,然后蝕刻液進行蝕刻而成。該方法可以大面積高效率生產,但因納米銀線穩定性及同基材的附著力不佳,通常在納米銀線的外表面會涂布一層樹脂層,該樹脂層會阻礙蝕刻液蝕刻銀絲同時阻礙同金屬導線的接著,產品良品率及可靠性不佳。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出一種納米銀線透明導電材料的圖形化方法,該納米銀線透明導電材料的圖形化方法可以避免激光鐳射法帶來的靜電釋放的風險和化學腐蝕法導致的樹脂層阻礙蝕刻液蝕刻銀絲同時阻礙同金屬導線的接著問題,從而實現納米銀線的圖形化。
本發明進一步地提出了一種納米銀線透明導電電極感應器。
根據本發明的納米銀線透明導電材料的圖形化方法,包括:選取透明基材,所述透明基材的表面為極性表面;在所述透明基材的極性表面制作導電線路;在所述極性表面布置透明光阻;將所述透明光阻曝光顯影,制作成需要的圖形;將納米銀線墨水涂在所述極性表面,使其在非光阻的區域形成納米銀線圖形。
根據本發明的納米銀線透明導電材料的圖形化方法,可以消除激光鐳射法帶來的靜電釋放的風險,也可以避免化學腐蝕法導致的樹脂層阻礙蝕刻液蝕刻銀絲同時阻礙同金屬導線的接著等問題,從而便于實現納米銀線的圖形化,可以提高產品良品率和可靠性。
在本發明的一些示例中,所述的選取透明基材,所述透明基材的表面為極性表面的步驟包括:選取表面為極性基團材質的透明基材,具有所述極性基團材質的表面為所述極性表面。這樣可以使其與納米銀線墨水具有較強的親和性,從而使納米銀線墨水可以在其上面形成圖形。
在本發明的一些示例中,所述的選取透明基材,所述透明基材的表面為極性表面的步驟也可以包括:選取透明基材,在所述透明基材的表面涂布一層極性涂層,所述極性涂層為所述極性表面。這樣也可以使其與納米銀線墨水具有較強的親和性,從而使納米銀線墨水可以在其上面形成圖形。
在本發明的一些示例中,所述極性涂層包括含有羧酸、酚類、醇類、胺類或硫醇類基團之一或組合的化合物。這樣可以使其具有極性特性,從而可以與納米銀線墨水具有較強的親和性。
在本發明的一些示例中,所述的在所述透明基材的極性表面制作導電線路的步驟包括:在所述極性表面真空蒸鍍一層銅;將該層銅制作成銅線路,所述銅線路為所述導電線路。這樣可以分割極性表面,形成一個圖形化區域,從而可以實現納米銀線的圖形化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





