[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010112269.4
• 申請(qǐng)日: 2020-02-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112117322A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 任桐賢;李氣范;金旲炫;魏胄瀅;尹成美
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L27/146
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 陳曉博;尹淑梅

1.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

半導(dǎo)體基底，包括限定有源區(qū)的溝槽；

掩埋介電圖案，位于溝槽中；

氧化硅層，位于掩埋介電圖案與溝槽的內(nèi)壁之間；以及

多晶硅層，位于氧化硅層與溝槽的內(nèi)壁之間，

其中，多晶硅層具有與半導(dǎo)體基底接觸的第一表面以及與氧化硅層接觸的第二表面，并且

其中，第二表面包括均勻分布的多個(gè)硅晶粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，第二表面的表面粗糙度與第一表面的表面粗糙度基本相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，第二表面具有至的表面粗糙度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

半導(dǎo)體基底包括單晶硅基底，并且

多晶硅層直接與單晶硅基底接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)在同一方向上測(cè)量時(shí)氧化硅層比多晶硅層厚。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括局部地位于半導(dǎo)體基底與多晶硅層的第一表面之間的不連續(xù)的天然氧化物層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)的寬度小于溝槽的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

多晶硅層沿溝槽的側(cè)壁朝向半導(dǎo)體基底的頂表面延伸，并且

多晶硅層在溝槽的側(cè)壁上具有第一厚度并且在半導(dǎo)體基底的頂表面上具有第二厚度，第二厚度不同于第一厚度。

9.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

半導(dǎo)體基底，包括限定有源區(qū)的溝槽；

掩埋介電圖案，位于溝槽中；

氧化硅層，位于掩埋介電圖案與溝槽的內(nèi)壁之間；

多晶硅層，位于氧化硅層與溝槽的內(nèi)壁之間；

導(dǎo)電線，位于半導(dǎo)體基底中并且跨越有源區(qū)；

柵極介電層，位于半導(dǎo)體基底與導(dǎo)電線之間；以及

多個(gè)雜質(zhì)區(qū)，在導(dǎo)電線的相對(duì)側(cè)上位于有源區(qū)中，

其中，多晶硅層具有與氧化硅層接觸的第一表面，并且

其中，第一表面包括均勻分布的多個(gè)硅晶粒。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，多晶硅層與溝槽的側(cè)表面的一部分和溝槽的底表面接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中：

半導(dǎo)體基底包括單晶硅基底，并且

多晶硅層直接與單晶硅基底接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，柵極介電層與多晶硅層的一部分和氧化硅層的一部分接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，多晶硅層的第一表面具有至的表面粗糙度。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)在同一方向上測(cè)量時(shí)氧化硅層比多晶硅層厚。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)的寬度小于溝槽的寬度。

16.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在半導(dǎo)體基底中形成溝槽，使得溝槽限定有源區(qū)；

在第一溫度范圍內(nèi)執(zhí)行沉積工藝，以在其中形成有溝槽的半導(dǎo)體基底的表面上形成非晶硅層；

在第二溫度范圍內(nèi)對(duì)非晶硅層執(zhí)行結(jié)晶工藝以形成多晶硅層，第二溫度范圍不同于第一溫度范圍；

對(duì)多晶硅層的表面執(zhí)行氧化工藝以形成氧化硅層；以及

形成掩埋介電圖案以填充其中已經(jīng)形成有多晶硅層和氧化硅層的溝槽的其余部分。