[發明專利]發光二極管、包括多個發光二極管的像素及其制造方法

在審

• 申請號: 202010112136.7
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111613712A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 希勒斯·勒·布列文內克;擺的海斯·本·巴基爾
• 申請（專利權）人: 法國原子能及替代能源委員會
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L33/60;H01L33/50;H01L27/15
• 代理公司: 中國商標專利事務所有限公司 11234
• 代理人: 桑麗茹

1.光電裝置(110G，110R)，其包括：

-適合于發射輻射的LED，LED包括有源層(105)，以及

-轉換層(134G，134R)，所述轉換層在LED的有源層(105)上方延伸，并且包括適合于轉換由LED發射的輻射的多個熒光團，

其中，轉換層(134G，134R)被鏡(133)橫向限制，該鏡(133)既反射由熒光團轉換的輻射，又反射未由熒光團轉換的輻射，并且該轉換層(134G，134R)垂直地被限定在第一多層反射濾光器(131G，131R)和第二多層反射濾光器(132G，132R)之間，形成諧振法布里-珀羅腔，該法布里-珀羅腔阻擋未由熒光團轉換的輻射，并具有對于由熒光團轉換的輻射的透射率峰。

2.根據權利要求1所述的光電裝置(110G，110R)，其中熒光團是納米磷光粉。

3.根據權利要求2所述的光電裝置(110G，110R)，其中納米磷光粉選自SrSi₂O₂N₂:Eu²⁺；β-SIALON；Y₃Al₅O₁₂:Ce³⁺；LuAG:Ce；LuYAlMgSiO₃:Ce；SrSi₅N₈:Eu²⁺；(BaSr)₂Si₅N₈:Eu²⁺；(Ca,Sr)AlSiN₃:Eu²⁺；Sr[LiAl₃N₄]:Eu²⁺；Sr[Mg₃SiN₄]:Eu²⁺；Sr_1-xCa_xS:Eu²⁺。

4.根據權利要求1所述的光電裝置(110G，110R)，其中熒光團是3D量子點。

5.根據權利要求4所述的光電裝置(110G，110R)，其中3D量子點選自：ZnS；ZnSe；CdS；CdSe；CdZnSe；CdTe；PbS；InP；CuInS₂；CuGaS₂；CuInSe₂；CuGaSe₂；CuInGaSe₂；CuSe；InSe；GaSe或前述合金的任何組合。

6.根據前述權利要求中的任一項所述的光電裝置(110G，110R)，其中由熒光團轉換的輻射由第一多層反射濾光器(131G，131R)或第二多層反射濾光器(132G，132R)之一，從稱為“提取濾光器”的諧振法布里-珀羅腔提取，其中所述提取濾光器包括用于提取由熒光團轉換的輻射的光柵(135G，135R)。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的光電裝置(110G，110R)，其中第一多層反射濾光器(131G，131R)在所述有源層(105)和所述轉換層(134G，134R)之間延伸，而第二多層反射濾光器(132G，132R)在轉換層(134G，134R)上方延伸，并且其中第二多層反射濾光器(132G，132R)對于由熒光團轉換的輻射具有大于30％的反射率。

8.包括根據前述權利要求中的任一項所述的第一光電裝置(110G)和第二光電裝置(110R)的像素，第一光電裝置(110G)包括第一LED，并且第二光電裝置(110R)包括第二LED，由第二LED的熒光團轉換的輻射不同于由第一LED的熒光團轉換的輻射。

9.根據權利要求8所述的像素，還包括第三LED(110B)，第三LED(110B)發射的輻射不同于由第一和第二光電裝置(110G，110R)的熒光團轉換的輻射。