[發明專利]發光二極管、包括多個發光二極管的像素及其制造方法在審
| 申請號: | 202010112136.7 | 申請日: | 2020-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN111613712A | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發明(設計)人: | 希勒斯·勒·布列文內克;擺的海斯·本·巴基爾 | 申請(專利權)人: | 法國原子能及替代能源委員會 |
| 主分類號: | H01L33/58 | 分類號: | H01L33/58;H01L33/60;H01L33/50;H01L27/15 |
| 代理公司: | 中國商標專利事務所有限公司 11234 | 代理人: | 桑麗茹 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 包括 像素 及其 制造 方法 | ||
本發明公開了一種光電裝置(110G,110R),其包括適合于發射輻射的LED,并且LED包括有源層(105),并且光電裝置(110G,110R)包括在LED的有源層(105)上方延伸的轉換層(134G,134R),并且轉換層(134G,134R)包括適合于轉換由LED發射的輻射的多個熒光團,其中轉換層(134G,134R)被鏡(133)橫向地限制,該鏡既反射由熒光團轉換的輻射,又反射未由熒光團轉換的輻射,并且轉換層(134G,134R)垂直地被限制在第一(131G,131R)和第二(132G,132R)多層反射濾光器之間,形成諧振法布里?珀羅腔,該法布里?珀羅腔阻擋未由熒光團轉換的輻射,并具有對于由熒光團轉換的輻射的透射率峰。
技術領域
本發明涉及發光二極管、包括多個發光二極管的像素及其制造方法。
背景技術
一般而言,顯示裝置的關鍵參數是具有最寬可能的“色域”。在顏色合成中,無論是加色還是減色,顏色的色域或范圍都是特定類型的材料可以復制的顏色集合的部分。此外,照明和顯示裝置通過增加光通量和發射表面的清晰度而不斷發展。例如,對于顯示屏,這是通過從陰極射線管到液晶屏,以及自此以后到OLED(有機發光二極管)屏的歷程來反映的。對于照明,它涉及例如,從白熾燈泡到LED(發光二極管)的歷程。
將LED陣列用于顯示或照明目的(例如,用于汽車工業中的車頭燈)需要使例如,由氮化鎵GaN制成的半導體LED技術適應像素化的陣列發射。實際上,半導體技術使得能夠制造像素范圍從一微米到幾十微米的陣列。但是,例如氮化鎵GaN僅發出460nm波長范圍內的藍光。
為了獲得其他顏色,有必要在像素尺度上執行轉換操作。由于藍光具有可見光譜中最高的能量,因此可以通過光致發光將其轉換為能量較低的綠光或紅光。光致發光是物質通過吸收光子來激發,然后通過釋放較低能量的光子消激發的過程。光致發光涵蓋兩種形式:熒光和磷光。熒光是快速的光致發光,而磷光是慢的光致發光:適合顯示和照明應用的是熒光。熒光是借助于熒光團獲得的,熒光團可以是與聚合物陣列結合的粉末的形式。
為了能夠被限制在幾微米的像素中,熒光團必須具有亞微米尺寸。當前可用的材料是半導體的3D量子點,例如硒化鎘CdSe、磷化銦InP或硫化銦銀AgInS2,或氧化物的納米磷光粉,例如YAG:Ce(摻雜鈰的釔鋁石榴石)、硫化物或氟化物的納米磷光粉。
同時,為了發出飽和色,每種顏色都需要盡可能窄的光譜。可以由3D量子點制作足夠窄的光譜,但不能由納米磷光粉制作,納米磷光粉具有大約100nm的寬帶發射光譜。
3D量子點使得可以為每種顏色獲得足夠窄的光譜,但是當它們經受光或熱通量時,即在顯示器或照明裝置中的情況,它們缺乏穩定性(僅幾個小時)。存在封裝解決方案,但是僅能實現低發光度和低分辨率。
此外,施加到微像素的光轉換的約束條件是它需要的附加厚度,由于技術原因,尤其是形狀因數,該附加厚度必須保持像素尺寸的量級:例如對于3μm的像素,轉換厚度必須保持最大為3μm的量級;或對于10μm的像素,轉換厚度最大為10μm。不管像素大小如何,下表1示出了分別對于磷化銦或硒化鎘CdSe的3D量子點或對于LuAG:Ce(摻雜鈰的镥鋁石榴石)納米磷光粉,吸收460nm藍光所需的轉換厚度,以及復合物中熒光團的不同濃度(體積比)。下表2示出了對于表1中不同熒光團和載荷比,所達到的它的吸收百分數部分。
表1
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于法國原子能及替代能源委員會,未經法國原子能及替代能源委員會許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010112136.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





