[發(fā)明專利]一種硅片的切割工藝及其切割裝置

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• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111185680A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設計）人: 王林;張向東;章斌;顧凱峰
• 申請（專利權）人: 衢州晶哲電子材料有限公司
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/70;B23K26/03;B23K26/142;B23K26/146;B23K37/04
• 代理公司: 衢州維創(chuàng)維邦專利代理事務所(普通合伙) 33282
• 代理人: 高永志

本發(fā)明的技術方案是這樣實現(xiàn)的：一種硅片的切割工藝，包括如下步驟：通過控制中心，預設好切割形狀尺寸，將激光切割機的切割頭矯正校正切割頭；將硅片在通過裝夾機構裝夾在光學實驗平臺上；裝夾完成的半導體硅片，采用高清晰的CCD相機和攝像鏡進行定位；定位完成以后，通過激光切割機構進行激光切割加工；切割完成之后，通過清理機構將切割完成后，殘留在硅片上的廢屑進行清理。通過采用上述切割工藝，切割完成的硅片的切割精度高，且硅片干凈、便于取放。

技術領域

本發(fā)明涉及激光切割技術領域，尤其是一種硅片的切割工藝及其切割裝置。

背景技術

隨著科技發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)突飛猛進，各種集成、控制電路需求急劇增長，半導體芯片的需求量也與日俱增，半導體硅片是集成、控制電路中常用的芯片；因此很多企業(yè)對半導體硅片的加工工藝也越來越精細；

現(xiàn)階段，已經(jīng)有很多企業(yè)采用激光切割的方式對半導體硅片進行成型加工，本企業(yè)也長期采用激光切割的對硅片進行切削加工，經(jīng)過長時間的使用和研究發(fā)現(xiàn)現(xiàn)階段的激光切割工藝和裝置還存在幾個問題：

第一，現(xiàn)階段硅片通過裝夾機構裝夾在光學實驗平臺上，在裝夾過程中，裝夾機構需要對硅片進行多方位裝夾，裝夾效率較低；且壓板在壓緊硅片的過程中，會將硅片壓損；

第二，現(xiàn)階段的激光切割裝置在切割完成以后，硅片上會殘留很多榨汁，并且會很燙，不方便清理和取料；

現(xiàn)需要一種硅片晶圓激光切割工藝，以期可以解決上述技術問題。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種硅片的切割工藝及其切割裝置。

本發(fā)明的技術方案是這樣實現(xiàn)的：一種硅片的切割工藝，包括如下步驟：

S1：通過控制中心，預設好切割形狀尺寸，將激光切割機的切割頭矯正校正切割頭；

S2：將硅片在通過裝夾機構裝夾在光學實驗平臺上；

S3：裝夾完成的半導體硅片，采用高清晰的CCD相機和攝像鏡進行定位；

S4：定位完成以后，通過激光切割機構進行激光切割加工；

S5：切割完成之后，通過清理機構將切割完成后，殘留在硅片上的廢屑進行清理

通過采用上述切割工藝，切割完成的硅片的切割精度高，且硅片干凈、便于取放。

此外本發(fā)明還公開了一種硅片的切割裝置，包括工作臺、安裝在工作臺上的機架、安裝在機架上的CNC控制面板以及激光切割裝置，其特征在于：還包括定位裝置以及通過具有x軸和y軸移動功能的進給機構安裝在所述工作臺上的裝夾部件；所述定位裝置和激光切割裝置均通過輸送連接件安裝在機架上，所述定位裝置和激光切割裝置平行設置且其輸出方向均朝向裝夾部件；所述裝夾部件包括支撐平臺、伸縮筒、吸附機構、用于檢測支撐平臺水平度的水平檢測機構以及用于調(diào)整支撐平臺水平度的調(diào)整裝置；所述支撐平臺中部縱向通孔；各伸縮筒的一端與縱向通孔的邊緣固定連接，伸縮筒的另一端安裝在進給機構上且隨進給機構在x軸和y軸上移動；所述吸附機構包括真空泵和吸盤；所述真空泵安裝在工作臺上且通過氣管與吸盤相連接；所述吸盤安裝在縱向通孔內(nèi)。

優(yōu)選為：所述水平檢測機構包括安裝在支撐平臺底部的箱體和壓力傳感器；所述箱體內(nèi)部的水平方向上開設有滾道，所述滾道內(nèi)部設有滾珠，所述滾道的兩端均與壓力傳感器相接觸。

優(yōu)選為：所述調(diào)整裝置通過安裝座安裝在進給機構上，所述調(diào)整裝置包括若干縱向通孔軸線方向均與設置的調(diào)整氣缸；各調(diào)整氣缸的輸出端均豎直朝向支撐平臺；且各調(diào)整氣缸的輸出端均安裝有支撐塊。