[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法及半導體制造方法

在審

• 申請號: 202010111789.3
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111755354A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 伊東哲生;菊本憲幸;井上一樹;山田邦夫
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

1.一種基板處理裝置，對基板進行處理，所述基板處理裝置包括：

基板保持部，保持所述基板；

腔室，包括配置于所述基板保持部的周圍的側壁部、及配置于所述基板保持部的上方的頂壁部，收容所述基板保持部；

第一氣體供給部，配置于所述頂壁部，朝向所述基板保持部所處的一側供給第一氣體；

第二氣體供給部，收容于所述腔室，對所述腔室內供給第二氣體；以及

控制部，對所述第一氣體供給部及所述第二氣體供給部進行控制，并且

所述第二氣體是與氧氣不同，并且與氧氣的同素異形體不同的氣體，

所述第二氣體供給部包括用于將所述第二氣體供給至所述腔室內的送風口部，

所述送風口部位于比所述基板保持部對所述基板的保持位置更靠鉛垂方向上側的位置，并且位于比所述基板保持部更靠水平方向外側的位置。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中所述第二氣體供給部通過所述送風口部向所述頂壁部供給所述第二氣體。

3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置，其中所述送風口部配置于比所述基板的搬運路徑更靠上方的位置，

所述搬運路徑表示經由設置于所述側壁部的能夠開閉的開口搬運所述基板時的路徑。

4.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置，其中

所述控制部包括：

在對所述基板進行處理的期間內，控制所述第一氣體供給部以供給所述第一氣體，并控制所述第二氣體供給部不供給所述第二氣體，且

在所述基板的處理后且從所述腔室搬出所述基板之前的期間、與將所述基板搬入至所述腔室之前的期間之中的至少一個期間內，控制所述第一氣體供給部不供給所述第一氣體，并控制所述第二氣體供給部供給所述第二氣體。

5.根據權利要求4所述的基板處理裝置，其中所述第一氣體供給部包括：吸氣口，用于從所述腔室的外部吸入所述第一氣體；以及供給口，用于向所述基板保持部所處的一側供給所述第一氣體，

所述基板處理裝置還包括打開或堵塞所述吸氣口的開閉構件，

所述控制部包括：

在對所述基板進行處理的所述期間內，控制所述開閉構件打開所述吸氣口，

在所述至少一個期間內，控制所述開閉構件堵塞所述吸氣口。

6.根據權利要求4所述的基板處理裝置，還包括：

遮擋構件，位于所述基板保持部的上方，在退避位置與處理位置之間上升或下降；以及

第三氣體供給部，配置于所述遮擋構件，朝向所述遮擋構件的下方供給第三氣體，并且

所述第三氣體是與氧氣不同，并且與氧氣的同素異形體不同的氣體，

所述處理位置表示所述遮擋構件下降而相對于所述基板的表面隔開間隔相向配置的位置，

所述退避位置表示所述遮擋構件上升而與所述基板的表面相離的位置，

所述控制部包括：

在所述至少一個期間內，控制所述遮擋構件以使所述遮擋構件位于所述退避位置，并控制所述第三氣體供給部供給所述第三氣體。

7.根據權利要求6所述的基板處理裝置，其中

所述控制部包括：

在對所述基板進行處理的所述期間內，控制所述遮擋構件以使所述遮擋構件位于所述處理位置，并控制所述第三氣體供給部供給所述第三氣體，

所述遮擋構件在所述處理位置，覆蓋所述基板的表面的上方，而遮擋所述基板的表面的上方。

8.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置，其中所述第一氣體供給部選擇性地供給所述第一氣體與第四氣體之中的任一者，

所述第四氣體是與氧氣不同，并且與氧氣的同素異形體不同的氣體，

所述控制部包括：

在對所述基板進行處理的期間內，控制所述第一氣體供給部供給所述第一氣體，并控制所述第二氣體供給部不供給所述第二氣體，

在所述基板的處理后且從所述腔室搬出所述基板之前的期間、與將所述基板搬入至所述腔室之前的期間之中的至少一個期間內，控制所述第一氣體供給部朝向所述基板保持部所處的一側供給所述第四氣體，并控制所述第二氣體供給部供給所述第二氣體。