[發(fā)明專(zhuān)利]基板處理裝置、基板處理方法及半導(dǎo)體制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010111789.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111755354A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 伊東哲生;菊本憲幸;井上一樹(shù);山田邦夫 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區(qū)堀川通寺之內(nèi)上*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 半導(dǎo)體 制造 | ||
本發(fā)明提供一種基板處理裝置、基板處理方法及半導(dǎo)體制造方法?;逄幚硌b置包括基板保持部、腔室、第一氣體供給部、第二氣體供給部及控制部。腔室包括側(cè)壁部及頂壁部,收容基板保持部。第一氣體供給部配置于頂壁部,朝向基板保持部所處的一側(cè)供給第一氣體。第二氣體供給部收容于腔室,對(duì)腔室內(nèi)供給第二氣體??刂撇繉?duì)第一氣體供給部(13)與第二氣體供給部(41)進(jìn)行控制。第二氣體是與氧氣不同,并且與氧氣的同素異形體不同的氣體。第二氣體供給部包括送風(fēng)口部。送風(fēng)口部位于比基板保持部對(duì)基板的保持位置更靠鉛垂方向上側(cè)的位置,并且位于比基板保持部更靠水平方向外側(cè)的位置。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置、基板處理方法及半導(dǎo)體制造方法。
背景技術(shù)
在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的基板處理裝置中,在腔室內(nèi)的基板的處理時(shí)抑制基板氧化。
具體地說(shuō),基板配置于自旋底座的上方。遮擋構(gòu)件的相向面配置于基板的上方。遮擋構(gòu)件的內(nèi)周面配置于基板的周?chē)6?,從在遮擋?gòu)件的相向面開(kāi)口的向下噴出口朝向下方噴出惰性氣體。從遮擋構(gòu)件的向下噴出口噴出的惰性氣體在基板的上表面與遮擋構(gòu)件的相向面之間的空間內(nèi)擴(kuò)散,并從遮擋構(gòu)件的內(nèi)周面的下端與自旋底座的外周面之間排出。由于基板與遮擋構(gòu)件之間充滿(mǎn)惰性氣體,所以與基板的上表面及外周面接觸的環(huán)境氣體中的氧氣濃度得以降低。
并且,通過(guò)在從遮擋構(gòu)件的向下噴出口噴出了惰性氣體的狀態(tài)下,從自旋底座的向上噴出口噴出惰性氣體,能夠抑制含有氧氣的環(huán)境氣體在基板的上表面與遮擋構(gòu)件的相向面之間移動(dòng)。其結(jié)果為,能夠降低與基板W接觸的環(huán)境氣體中的氧氣濃度。
此外,在從自旋底座的向上噴出口噴出了惰性氣體的狀態(tài)下,利用中心機(jī)器人(center robot)將基板置于夾頭銷(xiāo)上。在基板靠近夾頭銷(xiāo)的期間,從自旋底座的向上噴出口噴出的惰性氣體在基板與自旋底座之間擴(kuò)散,而排出含有氧氣的環(huán)境氣體。通過(guò)預(yù)先排出含有氧氣的環(huán)境氣體,能夠抑制含有氧氣的環(huán)境氣體從基板與自旋底座之間移動(dòng)至基板與遮擋構(gòu)件之間。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利特開(kāi)2015-153947號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問(wèn)題
但是,近年來(lái),存在進(jìn)一步抑制基板的氧化的要求。因此,本申請(qǐng)的發(fā)明人關(guān)注到如下的現(xiàn)象:在腔室內(nèi)的基板搬運(yùn)時(shí)基板有可能被氧化。
本發(fā)明是鑒于所述問(wèn)題而完成,其目的在于提供一種能夠在腔室內(nèi)的基板搬運(yùn)時(shí)抑制基板的氧化的基板處理裝置、基板處理方法及半導(dǎo)體制造方法。
解決問(wèn)題的技術(shù)手段
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,基板處理裝置對(duì)基板進(jìn)行處理?;逄幚硌b置包括基板保持部、腔室、第一氣體供給部、第二氣體供給部及控制部。基板保持部保持所述基板。腔室包括配置于所述基板保持部的周?chē)膫?cè)壁部、以及配置于所述基板保持部的上方的頂壁部,收容所述基板保持部。第一氣體供給部配置于所述頂壁部,朝向所述基板保持部所處的一側(cè)供給第一氣體。第二氣體供給部收容于所述腔室,對(duì)所述腔室內(nèi)供給第二氣體??刂撇繉?duì)所述第一氣體供給部與所述第二氣體供給部進(jìn)行控制。所述第二氣體是與氧氣不同,并且與氧氣的同素異形體不同的氣體。所述第二氣體供給部包括用于將所述第二氣體供給至所述腔室內(nèi)的送風(fēng)口部。所述送風(fēng)口部位于比所述基板保持部對(duì)所述基板的保持位置更靠鉛垂方向上側(cè)的位置,并位于比所述基板保持部更靠水平方向外側(cè)的位置。
在本發(fā)明的基板處理裝置中,所述第二氣體供給部?jī)?yōu)選的是通過(guò)所述送風(fēng)口部朝向所述頂壁部供給所述第二氣體。
在本發(fā)明的基板處理裝置中,所述送風(fēng)口部?jī)?yōu)選的是配置于比所述基板的搬運(yùn)路徑更靠上方的位置。所述搬運(yùn)路徑優(yōu)選的是表示經(jīng)由設(shè)置于所述側(cè)壁部的能夠開(kāi)閉的開(kāi)口搬運(yùn)所述基板時(shí)的路徑。
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