[發明專利]碲鋅鎘晶片篩選方法

有效

• 申請號: 202010111694.1
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111323441B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 范葉霞;徐強強;劉江高;侯曉敏;吳卿
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: G01N23/20091
• 分類號: G01N23/20091;G01N23/2055;G01N21/3563;G01N21/95;H01L21/67
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 田衛平

本發明公開了一種碲鋅鎘晶片篩選方法，所述方法包括：利用第一腐蝕液對切割后的碲鋅鎘晶片進行表面腐蝕，觀察表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片并去除第一等級缺陷部分；利用X射線形貌儀觀察去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片，并去除第二等級缺陷部分；利用紅外顯微鏡觀察去除第二等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片，并去除第三等級缺陷部分；利用第二腐蝕液對去除第三等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行二次表面腐蝕，觀察二次表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片，并去除第四等級缺陷部分，以獲得第一合格碲鋅鎘晶片。采用本發明，有效地避免了大部分缺陷引入碲鋅鎘晶片中，從而提了高晶片的質量，解決了大尺寸晶片加工過程中由于存在缺陷導致加工效率低下的問題。

技術領域

本發明涉及晶片制造技術領域，尤其涉及一種碲鋅鎘晶片篩選方法。

背景技術

在大尺寸碲鋅鎘晶片加工的過程中，首先將晶體進行切割，制成原切片，人工目檢后直接進行人工劃片，以適應相應晶片加工的需求。由于人眼的局限性，晶片中的孿晶、小角晶界等無法被發現，這往往導致將晶體中的缺陷部分留下，而質量較好的部分被劃掉，造成晶片出片面積浪費。在后期精加工中還發現，劃好的晶片中常常存在較輕微的小角晶界、細小孿晶、較大的應力、較高的位錯密度或位錯分布不均、第二相夾雜等等?？勺R別的缺陷會影響晶片出片面積，只能改成較小尺寸晶片，降低晶體出片率，增加了晶片加工成本，而無法識別的缺陷將進而影響液相外延膜的質量，造成資源的浪費。

發明內容

本發明實施例提供一種碲鋅鎘晶片篩選方法，用以獲得高質量大尺寸碲鋅鎘晶片。

根據本發明實施例的碲鋅鎘晶片篩選方法，包括：

利用第一腐蝕液對切割后的碲鋅鎘晶片進行表面腐蝕，觀察表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片并去除第一等級缺陷部分；

利用X射線形貌儀觀察去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片，并去除第二等級缺陷部分；

利用紅外顯微鏡觀察去除第二等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片，并去除第三等級缺陷部分；

利用第二腐蝕液對去除第三等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行二次表面腐蝕，觀察二次表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片，并去除第四等級缺陷部分，以獲得第一合格碲鋅鎘晶片。

根據本發明的一些實施例，所述利用第一腐蝕液對切割后的碲鋅鎘晶片進行表面腐蝕，觀察表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片并去除第一等級缺陷部分，包括：

采用氫氟酸、硝酸和乳酸的混合液，對切割后的碲鋅鎘晶片進行表面腐蝕；

目檢表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片，去除第一等級缺陷部分，所述第一等級缺陷部分包括雜晶部分、第一粒度孿晶和第一角度小角晶界。

根據本發明的一些實施例，所述方法還包括：

利用第一腐蝕液對切割后的碲鋅鎘晶片進行表面腐蝕之后、利用X射線形貌儀觀察去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片之間，觀察腐蝕后的碲鋅鎘晶片，確定所述碲鋅鎘晶片的A面和B面。

根據本發明的一些實施例中，所述利用X射線形貌儀觀察去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片，并去除第二等級缺陷部分，包括：

利用X射線形貌儀對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片B面進行形貌分析，并對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行非破壞性檢測；

綜合形貌分析結果以及非破壞性檢測結果，去除第二等級缺陷部分。

在本發明的一些實施例中，所述利用X射線形貌儀對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片B面進行形貌分析，并對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行非破壞性檢測，包括：

用X射線形貌儀對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片B面進行缺陷分析和應力分布情況分析；