[發明專利]碲鋅鎘晶片篩選方法

有效

• 申請號: 202010111694.1
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111323441B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 范葉霞;徐強強;劉江高;侯曉敏;吳卿
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: G01N23/20091
• 分類號: G01N23/20091;G01N23/2055;G01N21/3563;G01N21/95;H01L21/67
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 田衛平

1.一種碲鋅鎘晶片篩選方法，其特征在于，包括：

利用第一腐蝕液對切割后的碲鋅鎘晶片進行表面腐蝕，觀察表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片并去除第一等級缺陷部分；

利用X射線形貌儀觀察去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片，并去除第二等級缺陷部分；

利用紅外顯微鏡觀察去除第二等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片，并去除第三等級缺陷部分；

利用第二腐蝕液對去除第三等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行二次表面腐蝕，觀察二次表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片，并去除第四等級缺陷部分，以獲得第一合格碲鋅鎘晶片；

所述利用第一腐蝕液對切割后的碲鋅鎘晶片進行表面腐蝕，觀察表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片并去除第一等級缺陷部分，包括：

采用氫氟酸、硝酸和乳酸的混合液，對切割后的碲鋅鎘晶片進行表面腐蝕；

目檢表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片，去除第一等級缺陷部分，所述第一等級缺陷部分包括雜晶部分、第一粒度孿晶和第一角度小角晶界。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

利用第一腐蝕液對切割后的碲鋅鎘晶片進行表面腐蝕之后、利用X射線形貌儀觀察去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片之間，觀察腐蝕后的碲鋅鎘晶片，確定所述碲鋅鎘晶片的A面和B面。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用X射線形貌儀觀察去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片，并去除第二等級缺陷部分，包括：

利用X射線形貌儀對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片B面進行形貌分析，并對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行非破壞性檢測；

綜合形貌分析結果以及非破壞性檢測結果，去除第二等級缺陷部分。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用X射線形貌儀對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片B面進行形貌分析，并對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行非破壞性檢測，包括：

用X射線形貌儀對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片B面進行缺陷分析和應力分布情況分析；

利用X射線衍射儀對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行半峰寬檢測、Zn值分布情況檢測；

利用傅立葉紅外光譜儀對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行紅外透過率檢測；

綜合缺陷分析結果、應力分布情況分析結果、半峰寬檢測結果、Zn值分布情況檢測結果以及紅外透過率檢測結果，去除第二等級缺陷部分，所述第二等級缺陷部分的半峰寬小于30弧秒、紅外透過率大于60％。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用X射線形貌儀觀察去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片，并去除第二等級缺陷部分，還包括：

在利用X射線形貌儀對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片B面進行形貌分析前，對去除第一等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片B面進行研磨、粗拋光。

6.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用紅外顯微鏡觀察去除第二等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片，并去除第三等級缺陷部分，包括：

利用紅外顯微鏡觀察去除第二等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片B面的夾雜分布情況，去除第三等級缺陷部分。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用第二腐蝕液對去除第三等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行二次表面腐蝕，觀察二次表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片，并去除第四等級缺陷部分，以獲得第一合格碲鋅鎘晶片，包括：

采用氫氟酸、硝酸和乳酸的混合液，對去除第三等級缺陷部分后的碲鋅鎘晶片進行二次表面腐蝕；

采用光學顯微鏡觀察二次表面腐蝕后的碲鋅鎘晶片，去除第四等級缺陷部分，所述第四等級缺陷部分包括第二粒度孿晶和第二角度小角晶界；

所述第二粒度孿晶的粒度小于所述第一粒度孿晶的粒度，所述第二角度小角晶界的角度小于所述第一角度小角晶界的角度。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法，還包括：

對所述第一合格碲鋅鎘晶片進行精拋光，獲得第二合格碲鋅鎘晶片。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二合格碲鋅鎘晶片的長度以及寬度均大于等于40毫米。