[發明專利]一種耐高溫釤鈷永磁體及其制備方法

有效

• 申請號: 202010111403.9
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111326310B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 段興漢;武桐
• 申請（專利權）人: 上海景瑞陽實業有限公司
• 主分類號: H01F7/02
• 分類號: H01F7/02;H01F27/23;H01F1/055;H01F41/02
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 王術娜

本發明涉及永磁體技術領域，具體涉及一種耐高溫釤鈷永磁體及其制備方法。本發明提供的耐高溫釤鈷永磁體，包括釤鈷永磁體基體、設置于所述釤鈷永磁體基體表面的銅鍍層和設置在所述銅鍍層表面的納米碳材料層。本發明利用納米碳材料層的隔溫性來提高釤鈷永磁體的耐熱性，使其能夠在500℃以上的環境中使用；在本發明中，銅鍍層作為生長輔助劑，有利于保證納米碳材料層的生成。本發明提供的釤鈷永磁體具有優異的耐高溫性，可以應用到新型的低場核磁設備中；另外，本發明提供的釤鈷永磁體還具有優異的防腐效果，耐鹽霧時間高達360h。

技術領域

本發明涉及永磁體技術領域，具體涉及一種耐高溫釤鈷永磁體及其制備方法。

背景技術

釤鈷磁鐵是第二代稀土永磁鐵，主要分為1：5型(SmCo₅)和2：17型(Sm₂Co₁₇)兩種。釤鈷永磁體的主要特點是磁性能高，溫度性能好，最高工作溫度可達250～350℃。但是實踐證明超過350℃之后，釤鈷永磁體的磁場會變得不穩定，超過670℃后甚至會完全消磁，無法滿足一些高溫的應用場合。盛名忠(低溫度系數2:17釤鈷永磁體的制備工藝[J].華東科技：學術版,2015(6):3-3)提到，目前廣泛應用的釤鈷永磁體實際使用溫度為20～300℃，無法在高溫場合使用。

發明內容

本發明的目的在于提供一種耐高溫釤鈷永磁體，本發明提供的永磁體能夠耐500℃以上的高溫，有利于拓展釤鈷永磁體的應用領域。

為了實現上述發明目的，本發明提供以下技術方案：

本發明提供了一種耐高溫釤鈷永磁體，包括釤鈷永磁體基體、設置于所述釤鈷永磁體基體表面的銅鍍層和設置在所述銅鍍層表面的納米碳材料層。

優選地，所述銅鍍層的厚度為5～30μm。

優選地，所述納米碳材料層的厚度為10～80μm。

優選地，所述納米碳材料層的材質包括富勒烯、碳納米管和石墨烯中的一種或幾種。

優選地，所述富勒烯的粒徑為20～50nm；所述碳納米管的管徑為10～30nm。

本發明提供了上述技術方案所述耐高溫釤鈷永磁體的制備方法，包括以下步驟：

在釤鈷永磁體基體表面鍍銅，得到覆蓋銅鍍層的釤鈷永磁體；

在所述覆蓋銅鍍層的釤鈷永磁體表面沉積納米碳材料層，得到耐高溫釤鈷永磁體。

優選地，所述沉積納米碳材料層的方法為化學氣相沉積法。

優選地，在沉積納米碳材料層時，碳源為甲烷或乙炔；沉積的溫度為500～900℃。

優選地，所述碳源的流量為1～50L/min。

優選地，當所述沉積的溫度在500℃以上且小于700℃，所述碳源的流量為1～10L/min時，所述納米碳材料層為石墨烯層；

當所述沉積的溫度在700℃以上且在900℃以下，所述碳源的流量大于40L/min且小于等于50L/min時，所述納米碳材料層為富勒烯層；

當所述沉積的溫度在700℃以上且在900℃以下，所述碳源的流量為30～40L/min時，所述納米碳材料層為富勒烯和碳納米管的復合涂層；

當所述沉積的溫度在700℃以上且在900℃以下，所述碳源的流量大于10L/min且小于30L/min時，所述納米碳材料層為碳納米管層。