[發(fā)明專利]一種耐高溫釤鈷永磁體及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010111403.9
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111326310B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 段興漢;武桐
• 申請（專利權(quán)）人: 上海景瑞陽實(shí)業(yè)有限公司
• 主分類號: H01F7/02
• 分類號: H01F7/02;H01F27/23;H01F1/055;H01F41/02
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 王術(shù)娜

1.一種耐高溫釤鈷永磁體的制備方法，包括以下步驟：

在釤鈷永磁體基體表面鍍銅，得到覆蓋銅鍍層的釤鈷永磁體；所述鍍銅的方法為電鍍；

在所述覆蓋銅鍍層的釤鈷永磁體表面沉積納米碳材料層，得到耐高溫釤鈷永磁體；所述耐高溫釤鈷永磁體，包括釤鈷永磁體基體、設(shè)置于所述釤鈷永磁體基體表面的銅鍍層和設(shè)置在所述銅鍍層表面的納米碳材料層；

所述沉積納米碳材料層的方法為化學(xué)氣相沉積法；

在沉積納米碳材料層時，碳源為甲烷或乙炔；沉積的溫度為500～900℃；在沉積過程中通入輔助氣體，所述輔助氣體為氫氣或水蒸氣；所述輔助氣體的流量為1～2L/min；

當(dāng)銅鍍層中銅顆粒的粒徑為30～200nm，所述沉積的溫度在500℃以上且小于700℃，所述碳源的流量為1～10L/min時，所述納米碳材料層為石墨烯層；

當(dāng)銅鍍層中銅顆粒的粒徑為10～30nm，所述沉積的溫度在700℃以上且在900℃以下，所述碳源的流量大于40L/min且小于等于50L/min時，所述納米碳材料層為富勒烯層；

當(dāng)所述沉積的溫度在700℃以上且在900℃以下，所述碳源的流量為30～40L/min時，所述納米碳材料層為富勒烯和碳納米管的復(fù)合涂層；

當(dāng)銅鍍層中銅顆粒的粒徑為5～20nm，所述沉積的溫度在700℃以上且在900℃以下，所述碳源的流量大于10L/min且小于30L/min時，所述納米碳材料層為碳納米管層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銅鍍層的厚度為5～30μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述納米碳材料層的厚度為10～80μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的制備方法，其特征在于，所述納米碳材料層的材質(zhì)包括富勒烯、碳納米管和石墨烯中的一種或幾種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述富勒烯的粒徑為20～50nm；所述碳納米管的管徑為10～30nm。